MOSFET CoolSiC ™ 1 200 V en carbure de silicium G2

Les MOSFET en carbure de silicium 1 200 V CoolSiC™ G2 d’Infineon Technologies offrent des solutions hautes performances pour les applications d’électronique de puissance. Ces MOSFET démontrent d’excellentes caractéristiques électriques et présentent de très faibles pertes de commutation permettant une exploitation efficace. Les MOSFET 1 200 V G2 sont conçus pour les conditions de surcharge, prenant en charge l’exploitation jusqu’à 200 °C et peuvent supporter des court-circuits jusqu’à 2 µs. Ces dispositifs disposent d’une tension de seuil de grille de référence de 4,2 V VGS(th) et garantissent un contrôle précis. Le MOSFET CoolSiC 1 200 V G2 est disponible en trois boîtiers qui s’appuient sur les atouts de la technologie Generation 1 pour fournir des solutions avancées pour des systèmes plus optimisés en termes de coûts, efficaces, compacts, faciles à concevoir et fiables. La Generation 2 améliore considérablement les indicateurs clés de mérite pour les topologies à commutation dure/douce, idéales pour toutes les combinaisons courantes d’étages CC-CC, CA-CC et CC-CA.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Fiche technique
1,367En stock
1,500Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 403 A 10.4 mOhms - 10 V, 25 V 5.1 V 348 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
Fiche technique
188En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 73 nC - 40 C + 175 C 356 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
Fiche technique
215En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 171 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
Fiche technique
182En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
Fiche technique
5En stock
960Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Fiche technique
586En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Fiche technique
1,798En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 67 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Fiche technique
1,440En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 89 mOhms - 10 V, + 25 C 5.1 V 48.7 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Fiche technique
330En stock
7502026-10-15 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 138 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 32.8 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Fiche technique
856En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 205 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 23.2 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Fiche technique
692En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Fiche technique
660En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
Fiche technique
199En stock
7502026-11-19 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

1.2 kV
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Fiche technique
115En stock
2402026-09-17 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Fiche technique
341En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 29 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Fiche technique
352En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 51 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
Fiche technique
625En stock
2402027-05-27 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
Fiche technique
589En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
Fiche technique
1,397En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 22 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
Fiche technique
451En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Fiche technique
961En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
Fiche technique
697En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 53 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Fiche technique
933En stock
1,0002026-10-15 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Fiche technique
3,135En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
Fiche technique
6En stock
3,750Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 1.2 kV 257 A 7.5 mOhms 4.2 V + 175 C - 55 C 1.172 kW CoolSiC