Parallel Interface FeRAMs

RAMXEED Parallel Interface FeRAMs are FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chips available in various bit configurations using ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies. These devices can retain data without a backup battery, unlike SRAM. The memory cells in the RAMXEED Parallel Interface FeRAM can support 1014 read/write operations, a significant improvement over the read and write operations supported by Flash memory and E2PROM. These FeRAM devices use a pseudo-SRAM interface.

Résultats: 6
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Taille de la mémoire
Type d'interface
Organisation
Package/Boîte
Temps d'accès
Tension d’alimentation - Min.
Tension d’alimentation - Max.
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (512k x16) parallel interface - TSOP44 tray
Fiche technique
126En stock
Min. : 1
Mult. : 1

8 Mbit Parallel 512 k x 16 TSOP-44 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (1M x8) parallel interface - FBGA48 tray
Fiche technique
480En stock
Min. : 1
Mult. : 1

8 Mbit Parallel 1 M x 8 FBGA-48 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (1M x8) parallel interface - TSOP44 tray
Fiche technique
141En stock
Min. : 1
Mult. : 1

8 Mbit Parallel 1 M x 8 TSOP-44 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (512k x16) parallel interface - FBGA48 tray
Fiche technique
801Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

8 Mbit Parallel 512 k x 16 FBGA-48 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 31 Semaines
Min. : 126
Mult. : 126
4 Mbit 512 K x 8 TSOP-44 120 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
RAMXEED F-RAM
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 31 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
4 MB 256 K x 16 TSOP-44 120 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray