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FGAF40N60UFTU

Name: onsemi FGAF40N60UFTU
Brand: onsemi
SKU: 512-FGAF40N60UFTU
Price: 6.47 CAD
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

512-FGAF40N60UFTU

N° de fab. :

FGAF40N60UFTU

Fab. :

onsemi

Description :

IGBTs 40A/600V/ IGBT

Fiche technique:

FGAF40N60UFTU Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-3PF-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	3.1 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	40 A
Pd - Dissipation d’énergie :	100 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	FGAF40N60UF
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu Ic max.:	40 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Hauteur:	16.7 mm
Longueur:	15.7 mm
Type de produit:	IGBTs
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Largeur:	5.7 mm
Raccourcis pour l'article N°:	FGAF40N60UFTU_NL
Poids de l''unité:	7 g

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Fiche technique

FGAF40N60UFTU Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

CAHTS:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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En stock: 316

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	$6.47	$6.47
	$3.59	$35.90
	$2.94	$352.80

FGAF40N60UFTU

Fab. : onsemi

Description : IGBTs 40A/600V/ IGBT

Caractéristiques

Documents (6)

Fiche technique

PCN

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