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Qorvo Transistor GaN à entrée adaptée QPD1000A
Qorvo Transistor GaN à entrée adaptée QPD1000A
10-14-2026
HEMT discret GaN‑on‑SiC, entrée 50Ω, adapté à une impédance d’entrée de 50 Ω, fonctionnement de 30 MHz à 1 215 MHz sur un rail d’alimentation de 28 V.
Qorvo Transistor de puissance RF au GaN QPD2562L
Qorvo Transistor de puissance RF au GaN QPD2562L
10-06-2026
Un HEMT GaN-sur-SiC discret de 200 W à 300 W qui fonctionne de 2,5 GHz à 2,9 GHz et de 2,9 GHz à 3,3 GHz.
Qorvo Transistors de puissance RF au GaN QPD1426/QPD1426L
Qorvo Transistors de puissance RF au GaN QPD1426/QPD1426L
10-06-2026
220 W HEMT discrets GaN-on-SiC fonctionnant de 1,2 GHz à 1,4 GHz.
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK8-FB
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK8-FB
10-05-2026
Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.
Littelfuse Diode TVS LTKAK1.5-L
Littelfuse Diode TVS LTKAK1.5-L
10-05-2026
Affiche une tension d'écrêtage inférieure à celle de technologies concurrentes telles que les MOV et les GDT.
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK6-FB
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK6-FB
10-05-2026
Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.
Infineon Technologies Module MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™
Infineon Technologies Module MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™
10-02-2026
Module MOSFET CoolSiC 1 400 V pour onduleurs de traction de véhicules utilitaires électriques.
Littelfuse Barrette de diodes TVS SP4315-01WTG
Littelfuse Barrette de diodes TVS SP4315-01WTG
10-01-2026
Conception bidirectionnelle, capacité ultra-faible, protège les équipements électroniques contre des DES destructrices.
Littelfuse Diodes à barrière de Schottky en silicium automobiles DSxARP
Littelfuse Diodes à barrière de Schottky en silicium automobiles DSxARP
09-22-2026
Permet une faible chute de tension directe et des performances électriques stables.
IXYS Modules de diodes de coupure IXBOD2
IXYS Modules de diodes de coupure IXBOD2
09-22-2026
Fournissent une protection contre les surtensions rapide et fiable dans des applications d'électronique de puissance exigeantes.
onsemi MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X
onsemi MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X
09-17-2026
MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.
Vishay MOSFET de puissance 40 V à canal P automobile SQD50P04-09L
Vishay MOSFET de puissance 40 V à canal P automobile SQD50P04-09L
09-16-2026
Le dispositif est idéal pour les applications de contrôle de la puissance dans le secteur automobile, la distribution d’énergie et les applications industrielles.
STMicroelectronics TVS unidirectionnelle à ligne unique TVS221SC-1T2
STMicroelectronics TVS unidirectionnelle à ligne unique TVS221SC-1T2
09-15-2026
Conçue pour protéger la ligne électrique ou d'autres E/S bas débit contre les transitoires DES et les petits transitoires de surtension.
onsemi Diode de protection DES ESDM1021
onsemi Diode de protection DES ESDM1021
09-14-2026
Diode DES bidirectionnelle compacte de 2 V pour la protection des broches GPIO et des lignes d’alimentation basse tension.
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09-14-2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK10-FB
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK10-FB
09-10-2026
Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK1-A
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK1-A
09-10-2026
Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-FB
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-FB
09-10-2026
Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-A
Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-A
09-10-2026
Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.
Littelfuse Diode TVS automobile TP7.0SMD-XC
Littelfuse Diode TVS automobile TP7.0SMD-XC
09-10-2026
Protège les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires induites par la foudre.
Texas Instruments JFET double à canal N faible puissance JFE2325
Texas Instruments JFET double à canal N faible puissance JFE2325
09-09-2026
Conçu pour une utilisation avec des capteurs à très haute impédance tels que les microphones à condensateur électret (ECM).
IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV
09-02-2026
MOSFET SiC 1200 V, 35 mΩ et 67 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH50N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH50N120L3KHV
09-02-2026
MOSFET SiC 1200 V, 55 mΩ et 48,3 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH100N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH100N120L3KHV
09-02-2026
MOSFET SiC 1200 V, 21 mΩ et 102 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH110N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH110N120L3KHV
09-02-2026
MOSFET SiC 1200 V, 18 mΩ et 112 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
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