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ROHM Semiconductor RGA50TxX2HR Automotive Field Stop Trench IGBTs
ROHM Semiconductor RGA50TxX2HR Automotive Field Stop Trench IGBTs
10-22-2026
These devices feature low switching and conduction losses.
ROHM Semiconductor RGA50TxX2EHR Automotive Field Stop Trench IGBTs
ROHM Semiconductor RGA50TxX2EHR Automotive Field Stop Trench IGBTs
10-22-2026
These devices feature low switching and conduction losses.
Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch E-Mode Field-Effect Transistor
Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch E-Mode Field-Effect Transistor
10-19-2026
Features low on-resistance, a very low gate threshold voltage, and fast switching performance.
Qorvo Transistor GaN à entrée adaptée QPD1000A
Qorvo Transistor GaN à entrée adaptée QPD1000A
10-14-2026
HEMT discret GaN‑on‑SiC, entrée 50Ω, adapté à une impédance d’entrée de 50 Ω, fonctionnement de 30 MHz à 1 215 MHz sur un rail d’alimentation de 28 V.
Qorvo Transistor de puissance RF au GaN QPD2562L
Qorvo Transistor de puissance RF au GaN QPD2562L
10-06-2026
Un HEMT GaN-sur-SiC discret de 200 W à 300 W qui fonctionne de 2,5 GHz à 2,9 GHz et de 2,9 GHz à 3,3 GHz.
Qorvo Transistors de puissance RF au GaN QPD1426/QPD1426L
Qorvo Transistors de puissance RF au GaN QPD1426/QPD1426L
10-06-2026
220 W HEMT discrets GaN-on-SiC fonctionnant de 1,2 GHz à 1,4 GHz.
Infineon Technologies Module MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™
Infineon Technologies Module MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™
10-02-2026
Module MOSFET CoolSiC 1 400 V pour onduleurs de traction de véhicules utilitaires électriques.
onsemi MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X
onsemi MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X
09-17-2026
MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.
Vishay MOSFET de puissance 40 V à canal P automobile SQD50P04-09L
Vishay MOSFET de puissance 40 V à canal P automobile SQD50P04-09L
09-16-2026
Le dispositif est idéal pour les applications de contrôle de la puissance dans le secteur automobile, la distribution d’énergie et les applications industrielles.
Texas Instruments JFET double à canal N faible puissance JFE2325
Texas Instruments JFET double à canal N faible puissance JFE2325
09-09-2026
Conçu pour une utilisation avec des capteurs à très haute impédance tels que les microphones à condensateur électret (ECM).
IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV
09-02-2026
MOSFET SiC 1200 V, 35 mΩ et 67 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH150N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH150N120L3KHV
09-02-2026
MOSFET SiC 1200 V, 13,5 mΩ et 147 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH100N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH100N120L3KHV
09-02-2026
MOSFET SiC 1200 V, 21 mΩ et 102 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH110N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH110N120L3KHV
09-02-2026
MOSFET SiC 1200 V, 18 mΩ et 112 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
IXYS MOSFET SiC IXSH50N120L3KHV
IXYS MOSFET SiC IXSH50N120L3KHV
09-02-2026
MOSFET SiC 1200 V, 55 mΩ et 48,3 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.
Microchip Technology Modules d’alimentation HV-D3 mSiC®
Microchip Technology Modules d’alimentation HV-D3 mSiC®
09-01-2026
Simplifient et accélèrent l’adoption des transformateurs à semi-conducteurs dans les centres de données et autres applications d’alimentation haute tension.
onsemi MOSFET SiC NXH011F120M3F2
onsemi MOSFET SiC NXH011F120M3F2
08-25-2026
Modules MOSFET EliteSiC en pont complet avec une résistance à l'état passant de 11 mΩ et une tension nominale de 1200 V.
onsemi MOSFET de puissance à canal N simple 80 V
onsemi MOSFET de puissance à canal N simple 80 V
08-25-2026
Offrent une faible RDS(on), pour réduire les pertes par conduction, pour une faible QG et pour une capacité à réduire les pertes de pilotes.
STMicroelectronics SLLIMM pour onduleur triphasé et IGBT STGI15C60S
STMicroelectronics SLLIMM pour onduleur triphasé et IGBT STGI15C60S
08-19-2026
Ce dispositif est idéal pour les entraînements de moteur fonctionnant jusqu'à 20 kHz dans des circuits à commutation dure.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08-12-2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA
08-11-2026
Il permet des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et une exploitation de commutation ultra-rapide.
STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG
STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG
08-10-2026
Conçu pour garantir un niveau élevé de tension et de robustesse pour les applications automobiles.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB
STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB
08-10-2026
Conçu pour des applications de commutation à haute efficacité et à courant élevé.
onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)
onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)
07-30-2026
Conçus pour remplacer un seul dispositif et son réseau externe de polarisation de résistance.
onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L
onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L
07-30-2026
Présente une faible RDS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.
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