Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Types de Semiconducteurs discrets

Liste Images

Filtres appliqués:

Fabricant = Wolfspeed Retournez à l''onglet Produit pour modifier vos filtres actuels.

Wolfspeed Modules d'alimentation à commutateur unique TM

10-01-2025

- Les dispositifs sont des modules d'alimentation à commutateur unique qualifiés pour l'industrie automobile, dans une empreinte à la norme industrielle.

Wolfspeed Modules d'alimentation en carbure de silicium YM Six-Pack

05-14-2025

- Les modules qualifiés pour l'industrie automobile sont conçus pour une intégration de conception transparente et une grande durabilité.

Wolfspeed MOSFET en carbure de silicium 1 700 V

04-17-2025

- Offrent une commutation plus élevée, une efficacité du système et une densité de puissance pour la conversion d'énergie de nouvelle génération.

Wolfspeed MOSFET discrets en carbure de silicium (SiC) de 1700 V

03-01-2025

- Conçus pour offrir une efficacité, une densité de puissance et une fiabilité exceptionnelles.

Wolfspeed Modules de puissance au carbure de silicium 2 300 V

10-08-2024

- Ces composants sont des modules d’alimentation 2 300 V au carbure de silicium sans embase pour les applications V-bus 1 500 V.

Wolfspeed Modules demi-pont SiC pour environnement difficile HAS

07-25-2024

- Modules demi-pont SiC pour les environnements difficiles dans un boîtier de 62 mm aux normes de l'industrie.

Wolfspeed MOSFET de puissance SiC 1 200 V à profil mince TO-247-4

07-03-2024

- Offrent un haut rendement du système, réduisent les pertes de commutation et minimisent les résonances de grille.

Wolfspeed Module demi-pont SiC DM

06-25-2024

- Offre une capacité de courant élevée dans un facteur de forme de très faible masse et de faible volume.

Wolfspeed MOSFET discrets au carbure de silicium 750 V

05-27-2024

- Permettent une haute densité de puissance du système avec une conception à profil mince dans des boîtiers aux normes de l’industrie.

Wolfspeed Diodes Schottky SiC 1 700 V

01-04-2023

- Offre les avantages de performance pour répondre à des standards d'éfficacité plus élevés.

Consulter : 1 - 10 sur 10

Filtrer par :

ROHM Semiconductor RGA50TxX2EHR Automotive Field Stop Trench IGBTs

10-22-2026

- These devices feature low switching and conduction losses.

ROHM Semiconductor RGA50TxX2HR Automotive Field Stop Trench IGBTs

10-22-2026

- These devices feature low switching and conduction losses.

Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch E-Mode Field-Effect Transistor

10-19-2026

- Features low on-resistance, a very low gate threshold voltage, and fast switching performance.

Qorvo Transistor GaN à entrée adaptée QPD1000A

10-14-2026

- HEMT discret GaN‑on‑SiC, entrée 50Ω, adapté à une impédance d’entrée de 50 Ω, fonctionnement de 30 MHz à 1 215 MHz sur un rail d’alimentation de 28 V.

Qorvo Transistor de puissance RF au GaN QPD2562L

10-06-2026

- Un HEMT GaN-sur-SiC discret de 200 W à 300 W qui fonctionne de 2,5 GHz à 2,9 GHz et de 2,9 GHz à 3,3 GHz.

Qorvo Transistors de puissance RF au GaN QPD1426/QPD1426L

10-06-2026

- 220 W HEMT discrets GaN-on-SiC fonctionnant de 1,2 GHz à 1,4 GHz.

Littelfuse Diode TVS LTKAK1.5-L

10-05-2026

- Affiche une tension d'écrêtage inférieure à celle de technologies concurrentes telles que les MOV et les GDT.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK6-FB

10-05-2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK8-FB

10-05-2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Infineon Technologies Module MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™

10-02-2026

- Module MOSFET CoolSiC 1 400 V pour onduleurs de traction de véhicules utilitaires électriques.

Littelfuse Barrette de diodes TVS SP4315-01WTG

10-01-2026

- Conception bidirectionnelle, capacité ultra-faible, protège les équipements électroniques contre des DES destructrices.

IXYS Modules de diodes de coupure IXBOD2

09-22-2026

- Fournissent une protection contre les surtensions rapide et fiable dans des applications d'électronique de puissance exigeantes.

Littelfuse Diodes à barrière de Schottky en silicium automobiles DSxARP

09-22-2026

- Permet une faible chute de tension directe et des performances électriques stables.

onsemi MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X

09-17-2026

- MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.

Vishay MOSFET de puissance 40 V à canal P automobile SQD50P04-09L

09-16-2026

- Le dispositif est idéal pour les applications de contrôle de la puissance dans le secteur automobile, la distribution d’énergie et les applications industrielles.

STMicroelectronics TVS unidirectionnelle à ligne unique TVS221SC-1T2

09-15-2026

- Conçue pour protéger la ligne électrique ou d'autres E/S bas débit contre les transitoires DES et les petits transitoires de surtension.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09-14-2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

onsemi Diode de protection DES ESDM1021

09-14-2026

- Diode DES bidirectionnelle compacte de 2 V pour la protection des broches GPIO et des lignes d’alimentation basse tension.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-FB

09-10-2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-A

09-10-2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK10-FB

09-10-2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diode TVS automobile TP7.0SMD-XC

09-10-2026

- Protège les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires induites par la foudre.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK1-A

09-10-2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Texas Instruments JFET double à canal N faible puissance JFE2325

09-09-2026

- Conçu pour une utilisation avec des capteurs à très haute impédance tels que les microphones à condensateur électret (ECM).

IXYS MOSFET SiC IXSH100N120L3KHV

09-02-2026

- MOSFET SiC 1200 V, 21 mΩ et 102 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

Consulter : 1 - 25 sur 1162

Types de Semiconducteurs discrets

Filtres appliqués:

Filtrer par :

Mouser®

Société

Ressources

Assistance