Filtres appliqués:
Fabricant = Infineon Retournez à l''onglet Produit pour modifier vos filtres actuels.

Votre recherche dans « Produits les plus récents » n''a pas produit de résultats.
Veuillez modifier vos filtres et réessayer.

Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7
Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7
12-01-2025
Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.
onsemi IGBT AFGB30T65RQDN
onsemi IGBT AFGB30T65RQDN
11-19-2025
Offre un coefficient de mérite élevé avec de faibles pertes de conduction et de commutation.
onsemi IGBT à arrêt de champ à canal N IV AFGBG70T65SQDC
onsemi IGBT à arrêt de champ à canal N IV AFGBG70T65SQDC
10-13-2025
Le dispositif offre des performances optimales avec de faibles pertes de conduction et de commutation.
onsemi IGBT à coupure de champ à canal N VII AFGH4L60T120RWx-STD
onsemi IGBT à coupure de champ à canal N VII AFGH4L60T120RWx-STD
10-13-2025
Le dispositif offre de bonnes performances, avec une faible tension à l'état passant et de faibles pertes de commutation.
STMicroelectronics IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2
STMicroelectronics IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2
05-22-2025
Créé en mettant en œuvre une structure avancée propriétaire à grille de tranchée et champ d'arrêt.
STMicroelectronics IGBT STGSH50M120D ACEPACK SMIT avec diode
STMicroelectronics IGBT STGSH50M120D ACEPACK SMIT avec diode
12-24-2024
Il combine deux IGBTs et des diodes dans une topologie demi-pont.
ROHM Semiconductor Les IGBT à arrêt de champ et en tranchée RGA80Tx 1 200 V
ROHM Semiconductor Les IGBT à arrêt de champ et en tranchée RGA80Tx 1 200 V
10-17-2024
Ils présentent une faible perte de commutation et de conduction et sont idéaux pour les compresseurs électriques et les chauffages HT.
STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGHU30M65DF2AG
STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGHU30M65DF2AG
09-12-2024
Développé à l'aide d'une structure avancée à arrêt de champ à grille en tranchée.
STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGWA30M65DF2AG
STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGWA30M65DF2AG
09-12-2024
Conçu à l'aide d'une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ à grille en tranchée.
IXYS IGBT XPT Gen5
IXYS IGBT XPT Gen5
07-25-2024
Dispose d'une tension nominale de 650 V, d'une plage de courant allant de 35 A à 220 A et d'une faible charge de grille. 
Infineon Technologies Composants discrets automobile IGBT EDT2
Infineon Technologies Composants discrets automobile IGBT EDT2
07-19-2024
Technologie IGBT 750 V qui améliore l'efficacité énergétique des applications de transmission automobile.
STMicroelectronics IGBT de série MS de classe automobile GWA40MS120DF4AG
STMicroelectronics IGBT de série MS de classe automobile GWA40MS120DF4AG
07-03-2024
Les modèles de 1 200 V, 40 A, à faibles pertes, offrent une faible résistance thermique et sont fournis dans un boîtier TO-247 à broches longues.
onsemi IGBT de qualité automobile AFGHxL40T
onsemi IGBT de qualité automobile AFGHxL40T
06-12-2024
Homologué AEC-Q101 et utilise une construction robuste à arrêt de champ en tranchée VII.
onsemi IGBT EcoSPARK® 2 HV-HE FGB5065G2-F085
onsemi IGBT EcoSPARK® 2 HV-HE FGB5065G2-F085
06-04-2024
650V N-channel ignition device for PTC heater and high current system applications.
Diotec Semiconductor DIWOx Fast Switching IGBT Transistors
Diotec Semiconductor DIWOx Fast Switching IGBT Transistors
04-24-2024
Include a reverse diode and use Trench and Fieldstop technology in a TO-247 package.
PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs
PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs
04-12-2024
Offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ 25°C.
onsemi Pompes à chaleur
onsemi Pompes à chaleur
03-01-2024
La pompe à chaleur est la pierre angulaire du changement mondial vers un chauffage sûr et durable.
onsemi IGBT AFGHL50T65RQDN 650V 50A
onsemi IGBT AFGHL50T65RQDN 650V 50A
03-01-2024
IGBT à arrêt de champ de 4e génération qui utilise une technologie innovante.
onsemi IGBT 1 200 V à canal N FGY4LxxT120SWD
onsemi IGBT 1 200 V à canal N FGY4LxxT120SWD
02-07-2024
Ces dispositifs utilisent la nouvelle technologie IGBT à arrêt de champ de 7e génération et la diode Gen7.
Bourns Solutions d'électrification
Bourns Solutions d'électrification
12-20-2023
Transformateurs, bobines d'arrêt, résistances et autres produits conçus pour les systèmes utilisés dans l’électrification.
onsemi IGBT discret FGHL60T120RWD 1200 V 60 A
onsemi IGBT discret FGHL60T120RWD 1200 V 60 A
11-29-2023
technologie IGBT 7th-generation avancée  et logée dans un boîtier TO247 3-lead.
onsemi IGBT discret FGHL40T120RWD 1200 V 40 A
onsemi IGBT discret FGHL40T120RWD 1200 V 40 A
11-29-2023
Utilise la technologie IGBT 7th-generation et est logé dans un boîtier TO247 3-lead.
onsemi IGBT à canal N unique 1 200 V 25 A AFGHxL25T
onsemi IGBT à canal N unique 1 200 V 25 A AFGHxL25T
11-22-2023
Ces dispositifs disposent d’une construction robuste et économique à arrêt de champ en tranchée VII.
onsemi IGBT FGY140T120SWD discret rapide 140 A 1200 V
onsemi IGBT FGY140T120SWD discret rapide 140 A 1200 V
11-13-2023
Équipé d’une technologie IGBT 7th-generation avancée.
STMicroelectronics IGBT haut débit série H 600 V 4 A STGD4H60DF
STMicroelectronics IGBT haut débit série H 600 V 4 A STGD4H60DF
10-31-2023
Conçus avec une structure avancée à arrêt de champ et grille en tranchée.
Consulter : 1 - 25 sur 42