S80KS5123GABHM020

Infineon Technologies
727-S5123GABHM020
S80KS5123GABHM020

Fab. :

Description :
DRAM SPCM

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Infineon
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
FBGA-24
S80KS5123
Tray
Marque: Infineon Technologies
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Qualification: AEC-Q100
Nombre de pièces de l'usine: 676
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Nom commercial: HYPERRAM
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

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Codes de conformité
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Thaïlande
Pays d'origine de l'assemblage:
Thaïlande
Pays de diffusion:
Taïwan
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Mémoire HYPERRAM™ 2.0 S80KS5122 et S80KS5123

Les mémoires HYPERRAM™ 2.0 S80KS5122 et S80KS5123 d'Infineon Technologies sont des RAM dynamiques (DRAM) auto-rafraîchissantes à haute vitesse, à faible nombre de broches et à faible puissance, destinées aux systèmes intégrés haute performance nécessitant une extension de la mémoire pour des besoins de bloc-notes ou de mise en mémoire tampon. Les produits HYPERRAM prennent en charge les interfaces HYPERBUS™ et xSPI octales conformes au profil JEDEC JESD251  qui s'appuient sur les caractéristiques héritées des mémoires à interface parallèle et série tout en améliorant les performances et la facilité de conception et en réduisant le coût du système.  L'architecture à faible nombre de broches rend les HYPERRAM particulièrement adaptées aux applications limitées en termes d'alimentation et d'espace sur la carte qui nécessitent une RAM externe hors puce.

Disponibilité

Stock:
0

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Sur commande:
675
Délai usine :
14
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
$-.--
Ext. Prix:
$-.--
Tarif est.:

Prix (CAD)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
$58.58 $58.58
$54.22 $542.20
$52.47 $1,311.75
$51.19 $2,559.50
$49.82 $4,982.00
$47.92 $11,980.00

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