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EFC2J013NUZTDG

Name: onsemi EFC2J013NUZTDG
Brand: onsemi
SKU: 863-EFC2J013NUZTDG
Price: 0.77 CAD
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-EFC2J013NUZTDG

N° de fab. :

EFC2J013NUZTDG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET NCH 12V 17A WLCSP DUAL

Fiche technique:

EFC2J013NUZTDG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WLCSP-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	12 V
Id - Courant continu de fuite:	17 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	400 mV
Qg - Charge de grille:	37 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.8 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Dual
Temps de descente:	73 us
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	26 us
Série:	EFC2J013NUZ
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	Dual N-Channel MOSFET
Délai de désactivation type:	130 us
Délai d'activation standard:	11 us
Poids de l''unité:	1 mg

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Fiche technique

EFC2J013NUZTDG Fiche technique

PCN

Codes de conformité

CAHTS:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Taïwan

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

Présente une faible R_DS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

En stock: 520

Stock:: 520 Expédition possible immédiatement

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Délai usine :: 17 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

$-.--

Ext. Prix:

$-.--

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+$8.50)

Prix (CAD)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	$0.778	$0.78
	$0.49	$4.90
	$0.395	$39.50
	$0.377	$188.50
	$0.361	$361.00
	$0.356	$890.00
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	$0.336	$1,680.00

† Les frais pour $8.50 MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

EFC2J013NUZTDG

Fab. : onsemi

Description : MOSFET NCH 12V 17A WLCSP DUAL

Caractéristiques

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PCN

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