MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ automobile 750V G1

Les MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ automobile 750 V G1 d’Infineon Technologies aident les fabricants de véhicules électriques à concevoir des chargeurs embarqués bidirectionnels de11 kW et 22 kW avec une efficacité, une densité de puissance et une fiabilité accrues. Ces dispositifs fonctionnent de manière fiable à des températures élevées (Tj,max +175 °C), grâce à la technologie d’assemblage de puces propriétaire d’Infineon. La technologie d’assemblage de puce XT d’Infineon offre la meilleure impédance thermique de sa catégorie pour une taille de puce équivalente.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Type de produit
Technologie
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Polarité du transistor
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Fiche technique
281En stock
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Fiche technique
226En stock
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Fiche technique
181En stock
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Fiche technique
288En stock
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Fiche technique
720En stock
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Fiche technique
240Sur commande
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Fiche technique
Délai de livraison 52 Semaines
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel