MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WF

Les MOSFET à canal N BUK7Q de Nexperia dans un boîtier MLPAK33-WF (SOT8002-3D) utilisent la technologie de tranchée 9. Homologués pour répondre aux exigences AEC-Q101 à 175 °C, ils offrent une petite empreinte pour des conceptions compactes. Le Nexperia BUK7Q dispose de flancs mouillables latéralement qui offrent des joints de brasure robustes et une inspection optique automatisée.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Nexperia MOSFET BUK7Q4R9-40H/SOT8002/MLPAK33
Fiche technique
750En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 4.9 mOhms 20 V 3.6 V 29 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET BUK7Q6R0-40H/SOT8002/MLPAK33
Fiche technique
744En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 73 A 6 mOhms 20 V 3.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET BUK7Q7R5-40H/SOT8002/MLPAK33
Fiche technique
750En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 55 A 7.5 mOhms 20 V 3.6 V 17 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET BUK7Q8R4-40H/SOT8002/MLPAK33
Fiche technique
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-WF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 57 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 16 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape