MOSFET – Mouser Canada

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Sélectionner	Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	RoHS	Modèle de ECAO	Technologie	Style de montage	Package/Boîte	Polarité du transistor	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal	Conditionnement
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $13.22 268En stock NRND	Fab. Numéro de référence IPW65R060CFD7XKSA1 Référence Mouser 726-IPW65R060CFD7SA1 NRND	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW En savoir plus sur Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Fiche technique	268En stock	$13.22 $7.79 $6.57 $6.36 $5.99	Min. : 1 Mult. : 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	36 A	60 mOhms	10 V	3.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPW65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $15.74 413En stock 7202027-05-20 attendu	Fab. Numéro de référence IPW65R041CFD7XKSA1 Référence Mouser 726-IPW65R041CFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW En savoir plus sur Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Fiche technique	413En stock 7202027-05-20 attendu	$15.74 $8.57 $7.93 $7.89	Min. : 1 Mult. : 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	700 V	68.5 A	41 mOhms	20 V	4 V	102 nC	- 55 C	+ 150 C	500 W	Enhancement	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPP65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $14.37 250En stock	Fab. Numéro de référence IPP65R041CFD7XKSA1 Référence Mouser 726-IPP65R041CFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW En savoir plus sur Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Fiche technique	250En stock	$14.37 $9.82 $8.11 $7.26 $6.83	Min. : 1 Mult. : 1			Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	650 V	50 A	41 mOhms	20 V	4.5 V	102 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPP65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $11.68 41En stock 5002026-12-10 attendu	Fab. Numéro de référence IPP65R060CFD7XKSA1 Référence Mouser 726-IPP65R060CFD7SA1	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW En savoir plus sur Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Fiche technique	41En stock 5002026-12-10 attendu	$11.68 $6.31 $5.79 $5.31	Min. : 1 Mult. : 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	36 A	60 mOhms	10 V	4.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPW65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $17.15 90En stock	Fab. Numéro de référence IPW65R029CFD7XKSA1 Référence Mouser 726-IPW65R029CFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW En savoir plus sur Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Fiche technique	90En stock	$17.15 $11.69 $11.39	Min. : 1 Mult. : 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	700 V	69 A	29 mOhms	20 V	4.5 V	145 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W	Enhancement	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPZA65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $21.69 151En stock	Fab. Numéro de référence IPZA65R029CFD7XKSA1 Référence Mouser 726-IPZA65R029CFD7XK	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW En savoir plus sur Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Fiche technique	151En stock	$21.69 $12.21 $12.00	Min. : 1 Mult. : 1			Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	69 A	29 mOhms	20 V	4.5 V	145 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W	Enhancement	Tube