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Modules IGBT EasyDUAL™ 1 B
Les modules IGBT EasyDUAL™ 1 B d'Infineon Technologies avec MOSFET CoolSiC™ offrent une très faible inductance parasite et un rendement exceptionnel permettant des fréquences plus élevées, une densité de puissance accrue et des exigences de refroidissement réduites. Les modules demi-pont 1 200 V, 8 mΩ sont dotés d’un capteur de température NTC intégré et de la technologie de contact PressFIT. Le matériau d’interface thermique est disponible sur les variantes xHP_B11. Ces composants disposent de plages de tension de commande de grille recommandées de 0 à 5 V et +15 V à +18 V, de tensions grille-source maximales de +23 V ou -10 V et d’options de résistance drain-source à l'état passant de 17 mΩ ou 33 mΩ. Les brides de fixation intégrées garantissent un montage robuste.
