RD3S100AAFRATL

ROHM Semiconductor
755-RD3S100AAFRATL
RD3S100AAFRATL

Fab. :

Description :
MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

Fiche technique:
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ROHM Semiconductor
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
190 V
10 A
182 mOhms
20 V
2.5 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
85 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
Marque: ROHM Semiconductor
Configuration: Single
Temps de descente: 75 ns
Transconductance directe - min.: 6 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 20 ns
Série: RD3
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 140 ns
Délai d'activation standard: 15 ns
Raccourcis pour l'article N°: RD3S100AAFRA
Poids de l''unité: 330 mg
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ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Fiche technique

Specification Sheets

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Codes de conformité
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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