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SUD70090E-GE3

Name: Vishay SUD70090E-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SUD70090E-GE3
Price: 3.07 CAD
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SUD70090E-GE3

N° de fab. :

SUD70090E-GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

Fiche technique:

SUD70090E-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	50 A
Rds On - Résistance drain-source:	8.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	50 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	125 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	ThunderFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Temps de descente:	45 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	27 ns
Série:	SUD
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	36 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Poids de l''unité:	330 mg

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Codes de conformité

CAHTS:: 8541100090
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541100000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

40V TrenchFET Gen IV & 100V ThunderFET MOSFETs

Vishay / Siliconix 40V TrenchFET Gen IV and 100V ThunderFET MOSFETs offer low ON-resistance and low total gate charge. This low ON-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Available packages include TO-220, TO-252, as well as a space-saving, small-outline PowerPAK® option. Vishay / Siliconix 40V TrenchFET Gen IV and 100V ThunderFET MOSFETs are 100% R_g and UIS tested, halogen free, and RoHS compliant.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

SUD70090E N-Channel MOSFET

Vishay SUD70090E N-Channel MOSFET is a 100V ThunderFET® module with a 175°C maximum junction temperature. The SUD70090E features a Q_GD/Q_GS ratio of <1 for optimized switching and is 100% R_g and UIS tested. Typical applications for Vishay SUD70090E N-Channel MOSFET include DC/DC converters, power tools, motor drive switches, DC/AC inverters, and battery management.

MOSFET de puissance ThunderFET®

Les MOSFET de puissance Vishay Siliconix ThunderFET® offrent les valeurs les plus basses de résistances sous tension de l'industrie pour des MOSFET de 100 V avec une valeur de 4,5 V. En plus de la résistance sous tension et de la charge de grille, les produits offrent la meilleure valeur clé de mérite (FOM) pour les MOSFET des convertisseurs CC-CC dans leur catégorie. Pour les concepteurs, la résistance sous tension plus faible donne des pertes de conduction inférieures et une consommation d'énergie réduite pour des solutions vertes économes en énergie. Ces dispositifs sont optimisés pour la commutation côté primaire et le redressement synchrone côté secondaire des conceptions d'alimentations CC/CC isolées pour les applications des convertisseurs briques et bus de télécommunication. La valeur 4,5 V de la résistance sous tension des MOSFET permet d'envisager une grande variété de CI MLI et de commande de grille.
En savoir plus

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PRODUITS PRÉSENTÉS

VISHAY

MOSFET de puissance 40 V à canal P automobile SQD50P04-09L

Le dispositif est idéal pour les applications de contrôle de la puissance dans le secteur automobile, la distribution d’énergie et les applications industrielles.

MOSFET à canal N SiJK5100E

MOSFET de puissance TrenchFET^® Gén V avec une tension drain-source de 100 V et une puissance dissipable admissible de 536 W.

MOSFET à canal N TrenchFET® Gen IV 80 V SiEH4800EW

Se présente dans un boîtier BWL de 8 mm x 8 mm PowerPAK^®avec une résistance à l'état passant de 0,00115 Ω.

MOSFET à canal N 40 V (D-S) SiJK140E

Dispose d’une technologie d’alimentation TrenchFET^® Gén V idéale pour le redressement synchrone et l’automatisation.

MOSFET à super-jonction en PowerPAK® 10 x 12

Dotés d'une technologie de puissance, ils optimisent l'efficacité et minimisent les pertes de puissance pendant la conduction.

En stock: 16,081

Stock:: 16,081 Expédition possible immédiatement

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Délai usine :: 10 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

$-.--

Ext. Prix:

$-.--

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Bande coupée

MouseReel™ (+$8.50)

Prix (CAD)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	$3.07	$3.07
	$1.64	$16.40
	$1.45	$145.00
	$1.21	$605.00
	$1.20	$1,200.00
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	$1.05	$2,100.00

† Les frais pour $8.50 MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

SUD70090E-GE3

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Fab. : Vishay Semiconductors

Description : MOSFET 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

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