Résultats: 7
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement

onsemi IGBTs 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
Fiche technique
257En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube
onsemi IGBTs 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching
Fiche technique
383En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.68 V 30 V 70 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL40T120SWD Tube

onsemi IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
Fiche technique
392En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi IGBTs 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
Fiche technique
89En stock
4502026-12-29 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 225

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube

onsemi IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
Fiche technique
151En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube

onsemi IGBTs 650V/35A FAST IGBT FSII T
Fiche technique
50En stock
902027-02-05 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 70 A 300 W - 55 C + 175 C NGTB35N65FL2 Tube

onsemi IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
Fiche technique
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube