MOSFET à canal N Si (DTMOSIV) TK16x60W

Les MOSFET à canal N Si (DTMOSIV) TK16x60W de Toshiba présentent la conception de puce de génération DTMOSIV et sont proposés en différentes variantes. Les MOSFET à canal N Si disposent d'une faible résistance drain-source à l'état passant et d'un temps de récupération inverse rapide. Ces MOSFET peuvent contrôler facilement la commutation de grille. Les MOSFET TK16x60W sont disponibles en différentes dimensions et sont fournis en boîtiers différents DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220 et TO-220SIS. Ces MOSFET à canal N Si TK16x60W sont utilisés dans les régulateurs de tension de commutation.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ
Fiche technique
966En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8x8-OS PD=139W F=1MHZ
Fiche technique
2,487En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 245 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
Fiche technique
114En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si N-Channel 1 Channel DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Fiche technique
57En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Fiche technique
73En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Fiche technique
74En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Fiche technique
17En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Fiche technique
9992027-01-29 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1,000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
Fiche technique
2972026-08-26 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 2,500
Mult. : 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 139 W DTMOSIV Reel