MOSFET à canal N Si (DTMOSIV) TK16x60W

Les MOSFET à canal N Si (DTMOSIV) TK16x60W de Toshiba présentent la conception de puce de génération DTMOSIV et sont proposés en différentes variantes. Les MOSFET à canal N Si disposent d'une faible résistance drain-source à l'état passant et d'un temps de récupération inverse rapide. Ces MOSFET peuvent contrôler facilement la commutation de grille. Les MOSFET TK16x60W sont disponibles en différentes dimensions et sont fournis en boîtiers différents DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220 et TO-220SIS. Ces MOSFET à canal N Si TK16x60W sont utilisés dans les régulateurs de tension de commutation.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ 966En stock
Bande coupée
$6.09
$3.11
$2.82
$2.40
Bobine
$2.22
Min. : 1
Mult. : 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8x8-OS PD=139W F=1MHZ 2,487En stock
Bande coupée
$6.21
$3.24
Bobine
$2.28
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,500
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 245 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC 226En stock
2502026-11-06 attendu
$6.26
$3.27
$3.02
$2.32
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC 57En stock
$5.03
$2.52
$2.48
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms 30 V 3.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS 73En stock
$9.24
$5.39
$4.88
$4.41
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS 74En stock
$9.29
$6.08
$4.48
$3.97
$3.53
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF 5En stock
$6.71
$3.67
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
9992027-03-15 attendu
Bande coupée
$6.65
$3.46
$3.12
$2.65
Bobine
$2.49
$2.35
Min. : 1
Mult. : 1
: 1,000
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
348Sur commande
$6.03
$3.08
$2.98
$2.25
$2.19
Min. : 1
Mult. : 1
Si N-Channel 1 Channel DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC Non stocké
$9.23
$6.05
$4.45
$3.95
$3.51
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Bobine
$1.96
Min. : 2,500
Mult. : 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 139 W DTMOSIV Reel