Transistor GaN à entrée adaptée QPD1000A

Le transistor GaN à entrée adaptée QPD1000A de Qorvo est un HEMT GaN-on-SiC discret à entrée adaptée de 50Ω, de 15 W (P3dB), qui fonctionne de 30 MHz à 1 215 MHz sur un rail d’alimentation de 28 V. Le réseau d’adaptation d’entrée intégré assure un gain et des performances en puissance sur une large bande, tandis que la sortie dispose d’un réseau d’adaptation interne permettant d’optimiser la puissance et le rendement sur n’importe quelle partie de la bande. Il est idéalement adapté aux applications de stations de base, de radar et de communication et peut prendre en charge les modes de fonctionnement CW et pulsés. Le Qorvo QPD1000A est logé dans un boîtier DFN de 6 mm x 5 mm monté en surface conforme aux normes industrielles.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO
Qorvo FET GaN 30 - 1215 MHz, 15 Watt, GaN RF Input-Matched Transistor
1002026-12-18 attendu
Bande coupée
$119.32
$99.33
$95.13
Bobine
$91.63
Min. : 1
Mult. : 1
: 100
Qorvo FET GaN 30 - 1215 MHz, 15 Watt, GaN RF Input-Matched Transistor Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Bobine
$102.44
Min. : 750
Mult. : 750
: 750