MOSFET de puissance à canal N simple 80 V

Les MOSFET de puissance à canal N simple de 80 V NVBLS0DxN08X d’onsemi offrent un faible RDS(on), pour réduire les pertes de conduction, et de faibles QG et capacité, pour réduire les pertes de pilote. Ces MOSFET présentent également une faible charge QRR et une diode de corps à récupération progressive. Chacun de ces MOSFET de puissance à canal N simple 80 V NVBLS0DxN08X d’onsemi est livré dans un boîtier H-PSOF8L, est homologué AEC-Q101 et compatible PHPP. Chaque dispositif est sans Pb, sans halogène, sans BFR et conforme à la directive RoHS. Cela rend ces dispositifs idéaux pour le redressement synchrone (SR) dans les convertisseurs CC-CC et CA-CC, en tant que commutateur principal dans les convertisseurs CC-CC isolés, les entraînements à moteur et les systèmes 48 V automobiles.

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Vds - Tension de rupture drain-source Conditionnement
onsemi MOSFET T10 80V SG TOLL
2,0002026-11-10 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,000
80 V Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V SG TOLL
2,0002027-03-02 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,000
80 V Reel, Cut Tape