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SQSA12CENW-T1_GE3

Name: Vishay SQSA12CENW-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQSA12CENW-T1_GE3
Price: 2.39 CAD
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SQSA12CENW-T1_GE3

N° de fab. :

SQSA12CENW-T1_GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Fiche technique:

SQSA12CENW-T1_GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-1212-8W
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	18 A
Rds On - Résistance drain-source:	22 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	31 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	62.5 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Temps de descente:	9 ns
Transconductance directe - min.:	47 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4 ns
Série:	SQS
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Délai de désactivation type:	25 ns
Délai d'activation standard:	11 ns

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Fiche technique

SQSA12CENW-T1_GE3 Fiche technique

Models

R-C Thermal Model Parameters

Technical Resources

Codes de conformité

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET 100 V à canal N automobile SQSA12CENW

Le MOSFET 100 V à canal N automobile SQSA12CENW Vishay/Siliconix est un MOSFET de puissance TrenchFET^® homologué AEC-Q101. Le MOSFET SQSA12CENW dispose d'un I_d 18 a, de 100 V_DS et de 0,022 Ω R_DS(on). Le MOSFET 100 V à canal N automobile SQSA12CENW Vishay/Siliconix est disponible en boîtier PowerPAK^® 1212-8 W et est spécifié pour une plage de température de jonction en fonctionnement et de stockage de -55°C à +175°C.

PRODUITS PRÉSENTÉS

VISHAY

MOSFET à canal N SiJK5100E

MOSFET de puissance TrenchFET^® Gén V avec une tension drain-source de 100 V et une puissance dissipable admissible de 536 W.

MOSFET à canal N TrenchFET® Gen IV 80 V SiEH4800EW

Se présente dans un boîtier BWL de 8 mm x 8 mm PowerPAK^®avec une résistance à l'état passant de 0,00115 Ω.

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Dispose d’une technologie d’alimentation TrenchFET^® Gén V idéale pour le redressement synchrone et l’automatisation.

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Dotés d'une technologie de puissance, ils optimisent l'efficacité et minimisent les pertes de puissance pendant la conduction.

MOSFET 150 V (D-S) à canal N SiRS5700DP

MOSFET de puissance TrenchFET® Gen V doté d'un facteur de performance (FOM) R_{DS x}Q_g très faible.

En stock: 10

Stock:: 10

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2027-02-11 attendu

3,000

2027-03-29 attendu
Délai usine :: 36

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

$-.--

Ext. Prix:

$-.--

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+$8.50)

Prix (CAD)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	$2.39	$2.39
	$1.48	$14.80
	$0.969	$96.90
	$0.762	$381.00
	$0.651	$651.00
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	$0.59	$1,770.00

† Les frais pour $8.50 MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

SQSA12CENW-T1_GE3

Fab. : Vishay / Siliconix

Description : MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Caractéristiques

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