MOSFET SiC discrets C4MS 1 200 V

Les MOSFET discrets en carbure de silicium (SiC) C4MS 1 200 V de Wolfspeed offrent des performances inégalées dans les applications à commutation dure. La famille C4MS utilise une diode à corps souple et rapide qui permet une commutation rapide avec dépassement et sonnerie minimaux, élargissant ainsi l'espace de conception utilisable pour les ingénieurs afin d'optimiser les performances dans l'application. La famille C4MS offre des pertes Eon, ERR et Eoff améliorées par rapport à la famille de dispositifs C3M, tout en maintenant un faible coefficient de température RDS(on). Cette approche équilibrée offre des performances et une efficacité maximales pour une large gamme de topologies à commutation dure et à commutation douce.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Fiche technique
4502026-08-17 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 366 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mO,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Fiche technique
8002026-08-31 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 340 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mO,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Fiche technique
8002026-11-23 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 94 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 429 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mO, 1200V, TO-247-4, Industrial
Fiche technique
4502026-11-23 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 366 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mO,1200V, TSC (U2), Industrial
Fiche technique
800Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 94 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 455 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mO, 1200V, TO-247-4, Industrial
Fiche technique
4502026-11-23 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Fiche technique
4502026-11-23 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mO,1200V, TSC (U2), Industrial
Fiche technique
800Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 36 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 357 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,47mO,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Fiche technique
8002026-11-23 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 47 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 280 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mO, 1200V, TO-247-4, Industrial
Fiche technique
4502026-11-23 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 50 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 241 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Fiche technique
4502026-11-23 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 50 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 241 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,47mO,1200V, TSC (U2), Industrial
Fiche technique
800Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 47 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,65mO,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Fiche technique
8002026-11-23 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 65 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 211 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,65mO,1200V, TSC (U2), Industrial
Fiche technique
800Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 42 A 65 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 215 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Fiche technique
4502026-08-17 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 65 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 182 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mO, 1200V, TO-247-4, Industrial
Fiche technique
4502026-11-23 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 65 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 182 W Enhancement