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Diodes à barrière de Schottky à ultra faible VF RBS3
Les diodes à barrière RBS3 de Schottky de ROHM Semiconductor sont de petites diodes logées dans un boîtier de puissance de type moulé avec un courant direct rectifié (IO) de 3 A et une tension directe inverse (VR) de 20 V. Ces diodes sont fabriquées à partir d'une structure planaire épitaxiale en silicium et sont logées dans des boîtiers PMDU (SOD-123FL) ou PMDTM (SOD-128). Les diodes à barrière RBS3 de ROHM Semiconductor offrent une VF ultra-faible, une haute fiabilité et fonctionnent sur une plage de température de -55 °C à +125 °C. Ces diodes à barrière Schottky sont idéales pour le redressement général.