MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx d'IXYS affichent une tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant [RDS(ON)]. La résistance à l'état passant est comprise entre 25 mΩ et 160 mΩ, et le courant de drain continu (ID) est compris entre 20 A et 111 A. Ces composants assurent une commutation à haute vitesse avec une faible capacité et sont dotés d'une diode intrinsèque ultra-rapide. Ils sont disponibles avec une tension drain-source (VDSS) de 650 V ou 1200 V. Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx d'IXYS sont proposés dans trois boîtiers (TO-263-7L, TOLL-8 et TO-247-4L).

Résultats: 13
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
IXYS SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
Fiche technique
900En stock
Bande coupée
$18.69
$10.58
$10.44
$9.89
Bobine
$9.89
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263
Fiche technique
894En stock
Bande coupée
$11.25
$7.62
$5.56
Bobine
$5.01
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L
Fiche technique
890En stock
Bande coupée
$12.84
$7.01
$6.45
$5.98
Bobine
$5.98
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L
Fiche technique
900En stock
Bande coupée
$15.55
$8.64
$8.22
$7.69
Bobine
$7.69
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
Fiche technique
813En stock
Bande coupée
$17.16
$11.30
$10.21
$9.29
Bobine
$8.51
Devis
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
Fiche technique
2,090En stock
Bande coupée
$18.69
$10.58
$10.44
$9.76
Bobine
$9.76
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TOLL
Fiche technique
2,095En stock
Bande coupée
$12.70
$6.93
$6.36
$6.29
$5.96
Bobine
$5.96
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TOLL
Fiche technique
2,090En stock
Bande coupée
$15.36
$8.54
$8.09
$7.66
Bobine
$7.66
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,000
SMD/SMT TTOLL-8 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Fiche technique
520En stock
$19.04
$10.80
$10.01
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET TO247 1200V N CH 20A
Fiche technique
542En stock
Bande coupée
$10.71
$5.75
$4.69
Bobine
$4.69
Min. : 1
Mult. : 1
: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
Fiche technique
550En stock
$13.05
$7.13
$6.18
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
Fiche technique
550En stock
$15.67
$10.80
$7.85
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Fiche technique
537En stock
Bande coupée
$17.52
$11.32
$10.50
Bobine
$9.16
$8.76
Min. : 1
Mult. : 1
: 450
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement