Transistors G5 CoolGaN™ de 650 V

Les transistors G5 CoolGaN™ de 650 V d’Infineon Technologies présentent une technologie de transistor en nitrure de gallium (GaN) hautement efficace pour la conversion d’énergie. La famille G5 de 650 V répond aux défis des applications industrielles, solaires, grand public et des centres de données. Les transistors offrent une efficacité et une densité de puissance améliorées du système avec une capacité de commutation ultra-rapide. La technologie CoolGaN fournit des solutions discrètes et intégrées conçues pour améliorer les performances globales du système. Les transistors G5 CoolGaN de 650 V d’Infineon Technologies permettent des fréquences de fonctionnement élevées et réduisent les valeurs EMI. Les transistors sont idéaux pour la distribution d’énergie, les alimentations électriques à découpage (SMPS), les télécommunications et d’autres applications industrielles.

Résultats: 14
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Technologie
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Fiche technique
3,637En stock
2,0002026-11-05 attendu
Bande coupée
$18.37
$10.38
$10.22
$9.81
Bobine
$8.65
Devis
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,000
SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies FET GaN Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
Fiche technique
2,968En stock
Bande coupée
$10.71
$7.24
$5.28
$5.16
$4.72
Bobine
$4.19
Min. : 1
Mult. : 1
: 3,000
SMD/SMT QFN-32 N-Channel 2 Channel 650 V 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C GaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Fiche technique
1,453En stock
Bande coupée
$10.15
$5.41
$4.95
$4.68
$4.09
Bobine
$3.80
Min. : 1
Mult. : 1
: 3,000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 22 A 70 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 111 W Enhancement CoolGaN Si
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Fiche technique
1,777En stock
Bande coupée
$8.50
$4.46
$4.08
$3.69
$3.56
Bobine
$3.00
Min. : 1
Mult. : 1
: 3,000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.6 V 25 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolGaN Si
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Fiche technique
2,689En stock
Bande coupée
$6.70
$3.44
$3.12
$2.68
Bobine
$2.17
Min. : 1
Mult. : 1
: 3,000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 16 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement CoolGaN Si
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Fiche technique
2,245En stock
Bande coupée
$5.75
$2.91
$2.64
$2.17
Bobine
$1.80
Min. : 1
Mult. : 1
: 3,000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN Si
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Fiche technique
2,093En stock
Bande coupée
$10.45
$5.60
$5.13
$4.87
$4.46
Bobine
$3.96
Min. : 1
Mult. : 1
: 3,000
SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 70 mOhms - 10 V 1.2 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Fiche technique
945En stock
Bande coupée
$8.76
$4.61
$4.20
$3.83
$3.70
Bobine
$3.12
Min. : 1
Mult. : 1
: 3,000
SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.2 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Fiche technique
2,527En stock
Bande coupée
$6.90
$3.56
$3.23
$2.79
Bobine
$2.26
Min. : 1
Mult. : 1
: 3,000
SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 140 mOhms - 10 V 1.2 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Fiche technique
2,647En stock
Bande coupée
$5.92
$3.01
$2.72
$2.26
Bobine
$1.86
Min. : 1
Mult. : 1
: 3,000
SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 12 A 170 mOhms - 10 V 1.2 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Fiche technique
1,444En stock
8,0002026-11-12 attendu
Bande coupée
$15.41
$10.61
$8.12
$7.44
Bobine
$7.17
Devis
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,000
SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 49 A 42 mOhms - 10 V 1.6 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Fiche technique
1,462En stock
Bande coupée
$12.34
$8.40
$6.16
$6.06
$5.56
Bobine
$4.94
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,000
SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 6 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Fiche technique
1,966En stock
Bande coupée
$10.71
$5.83
$5.34
$5.04
$4.49
Bobine
$3.89
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,000
SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 31 A 66 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 650 V G5
Fiche technique
1,518En stock
Bande coupée
$5.83
$3.83
$2.68
$2.22
Bobine
$1.89
$1.80
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,000
SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN GaN