MOSFET à canal N 750 V MaxSiC ® MXP075

Les MOSFET à canal N 750 V MaxSiC® MXP075 de Vishay Semiconductors affichent une tension drain-source de 750 V, une vitesse de commutation élevée et un temps de tenue au court-circuit de 3 µs. Ces MOSFET sont également caractérisés par une puissance dissipée maximale de 208 W (Tc = 25 °C) et un courant de drain continu de 51 A (Tc = 25 °C). Les MOSFET à canal N 750V MaxSiC MXP075 de Vishay Semiconductors sont sans halogène et sont disponibles en boîtier TO-247AD 4L. Les utilisateurs intègrent ces MOSFET dans des chargeurs, des entraînements à moteur auxiliaires et des convertisseurs CC-CC.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
6002027-04-14 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 750 V 51 A 50 mOhms - 10 V, + 22 V 2.65 V 77 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Fiche technique
6002027-04-14 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 750 V 51 A 50 mOhms - 10 V, + 22 V 2.65 V 77 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement