Dollars canadiens Incoterms :DDP Tous les prix incluent les droits et frais de douane pour les modes d'expédition sélectionnés. Livraison gratuite pour la plupart des commandes dépassant $100 (CAD).
Dollars US Incoterms :FCA (lieu d'expédition) Les taxes et frais de douane et la TPS collectée au moment de la livraison. Livraison gratuite pour la plupart des commandes dépassant $100 (USD).
Les images sont fournies à titre indicatif Voir les caractéristiques du produit
Le lien ne peut pas être généré actuellement. Veuillez réessayer.
Modules d'alimentation MOSFET SiC GEN3 1 200 V
SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [RDS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.