MOSFET – Mouser Canada

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 canal N

Les MOSFET de puissance à canal N OptiMOS™ 7 d'Infineon Technologies sont des transistors à canal N haute performance conçus pour les applications de conversion d'énergie exigeantes. Ces MOSFET offrent une résistance en conduction très faible, une résistance thermique supérieure et un excellent rapport Miller pour une robustesse dv/dt. Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 sont optimisés pour les topologies de commutation dure et douce, ainsi que pour les FOMoss. Ces MOSFET sont 100 % testés en mode avalanche et sont conforme à la directive RoHS. Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 sont sans halogène conformément à la norme CEI61249‑2‑21.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Résultats: 12

Filtres appliqués:

Package/Boîte

Vds - Tension de rupture drain-source

Id - Courant continu de fuite

Rds On - Résistance drain-source

Vgs - Tension grille-source

Vgs th - Tension de seuil grille-source

Qg - Charge de grille

Pd - Dissipation d’énergie

Nom commercial

Conditionnement

Tout réinitialiser

Rechercher parmi les résultats

En stock

Normalement en stock

Actif

Nouveaux produits

RoHS : conforme

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	Technologie	Style de montage	Package/Boîte	Polarité du transistor	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal	Nom commercial	Conditionnement
MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V ISC034N08NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.41 13,504Sur commande Nouveau produit	Fab. Numéro de référence ISC034N08NM7ATMA1 Référence Mouser 726-ISC034N08NM7ATMA Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 80v mosfets	Fiche technique	13,504Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : ISC034N08NM7ATMA1 Stock: 0 Sur commande: 5,000 2026-10-15 attendu 8,504 2026-10-26 attendu Délai usine : 53 Semaines	Bande coupée $3.41 $1.90 $1.47 $1.18 Bobine $0.873 Afficher $1.15 $1.13 $0.819	Min. : 1 Mult. : 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	122 A	3.4 mOhms	20 V	3.2 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	115 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V ISC040N10NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.52 5,295En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence ISC040N10NM7ATMA1 Référence Mouser 726-ISC040N10NM7ATMA Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon n channel optimos 7 power mosfets	Fiche technique	5,295En stock	Bande coupée $4.52 $2.29 $2.02 $1.63 Afficher Bobine $1.41 $1.57 $1.54 $1.41	Min. : 1 Mult. : 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	130 A	4 mOhms	20 V	3.2 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V ISC024N08NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.67 138En stock 20,000Sur commande Nouveau produit	Fab. Numéro de référence ISC024N08NM7ATMA1 Référence Mouser 726-ISC024N08NM7ATMA Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 80v mosfets	Fiche technique	138En stock 20,000Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : ISC024N08NM7ATMA1 Stock: 138 Expédition possible immédiatement Sur commande: 10,000 2026-12-03 attendu 10,000 À déterminer Délai usine : 53 Semaines	Bande coupée $4.67 $2.39 $2.10 $1.73 Afficher Bobine $1.29 $1.66 $1.60 $1.29	Min. : 1 Mult. : 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	167 A	2.4 mOhms	20 V	3.2 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $6.45 14,313En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Référence Mouser 726-IQEH46NE2LM7ZCGS Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Fiche technique	14,313En stock	Bande coupée $6.45 $3.30 $3.00 $2.55 $2.45 Bobine $2.39	Min. : 1 Mult. : 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	430 A	480 uOhms	12 V	1.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.30 5,883En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 Référence Mouser 726-IQEH64NE2LM7UCGS Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Fiche technique	5,883En stock	Bande coupée $5.30 $3.11 $2.42 $2.03 $1.94 Bobine $1.77	Min. : 1 Mult. : 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	348 A	640 uOhms	16 V	2 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	130 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $6.31 5,736En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Référence Mouser 726-IQEH50NE2LM7UCGS Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Fiche technique	5,736En stock	Bande coupée $6.31 $3.23 $2.92 $2.46 $2.38 Bobine $2.32	Min. : 1 Mult. : 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	298 A	500 uOhms	16 V	2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Infineon Technologies 1: $4.05 4,955En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Référence Mouser 726-IQEH50NE2LM7ZCGA Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Fiche technique	4,955En stock	Bande coupée $4.05 $2.13 $1.87 $1.56 Afficher Bobine $1.39 $1.50 $1.47 $1.39	Min. : 1 Mult. : 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	422 A	500 uOhms	12 V	1.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH54NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.90 4,897En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IQEH54NE2LM7UCGATMA1 Référence Mouser 726-IQEH54NE2LM7UCGA Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Fiche technique	4,897En stock	Bande coupée $3.90 $2.07 $1.83 $1.50 Afficher Bobine $1.34 $1.47 $1.44 $1.34	Min. : 1 Mult. : 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	406 A	540 uOhms	16 V	2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH68NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.80 4,965En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IQEH68NE2LM7UCGATMA1 Référence Mouser 726-IQEH68NE2LM7UCGA Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Fiche technique	4,965En stock	Bande coupée $3.80 $1.86 $1.67 $1.34 Afficher Bobine $1.17 $1.31 $1.25 $1.17	Min. : 1 Mult. : 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	338 A	680 uOhms	16 V	2 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	130 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.52 5,674En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 Référence Mouser 726-IQEH80NE2LM7UCGS Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Fiche technique	5,674En stock	Bande coupée $4.52 $2.25 $2.03 $1.64 Afficher Bobine $1.48 $1.61 $1.54 $1.48	Min. : 1 Mult. : 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	282 A	800 uOhms	16 V	2 V	17.2 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH84NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.33 4,923En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IQEH84NE2LM7UCGATMA1 Référence Mouser 726-IQEH84NE2LM7UCGA Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V En savoir plus sur Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Fiche technique	4,923En stock	Bande coupée $3.33 $1.63 $1.45 $1.15 Afficher Bobine $0.975 $1.12 $1.08 $0.975 MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	275 A	840 uOhms	16 V	2 V	17.2 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFET OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8 ISC019N08NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.11 Délai de livraison 53 Semaines Nouveau produit	Fab. Numéro de référence ISC019N08NM7ATMA1 Référence Mouser 726-ISC019N08NM7ATMA Nouveau produit	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8 En savoir plus sur Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 80v mosfets	Fiche technique	Délai de livraison 53 Semaines	Bande coupée $5.11 $3.34 $2.39 $2.00 $1.93 Bobine $1.74	Min. : 1 Mult. : 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	209 A	1.9 mOhms	20 V	3.2 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape

MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 canal N

Filtres appliqués:

Mouser®

Société

Ressources

Assistance