MOSFET à canal N OptiMOS™ 3

Les MOSFET à canal N OptiMOS™ 3 Infineon Technologies disposent d'une faible résistance à l'état passant dans un boîtier SuperSO8 sans fil. Les MOSFET OptiMOS 3 permettent d'augmenter la densité de puissance jusqu'à 50 % dans les applications industrielles, grand public et de télécommunications.Les OptiMOS™ 3 sont disponibles en version de MOSFET à canal N de 40 V, 60 V et 80 V et en boîtiers SuperSO8 et Shrink SuperSO8 (S3O8). Par rapport aux boîtiers TO (Transistor Outline) standard, le SuperSO8 peut augmenter la densité de puissance jusqu'à 50 %.

Résultats: 7
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
1,704En stock
Bande coupée
$10.45
$5.60
$5.13
$4.87
$4.59
Bobine
$4.59
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 120 V 237 A 3 mOhms 20 V 4 V 158 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
5,346En stock
Bande coupée
$1.92
$0.89
$0.791
$0.615
Bobine
$0.459
Afficher
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 22 mOhms 20 V 2.2 V 7 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
6,281En stock
10,000Sur commande
Bande coupée
$4.90
$2.45
$2.22
$1.80
$1.77
Bobine
$1.77
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 2,000
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 86 A 7.3 mOhms 20 V 2.2 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
11,443En stock
10,0002027-10-20 attendu
Bande coupée
$3.74
$1.84
$1.60
$1.32
Afficher
Bobine
$1.06
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 63 A 10.4 mOhms 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
4,614En stock
Bande coupée
$3.56
$1.73
$1.56
$1.24
$1.20
Bobine
$1.06
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 4.8 mOhms 20 V 1.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
9,022En stock
Bande coupée
$3.17
$1.57
$1.36
$1.09
$0.994
Bobine
$0.867
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 7.9 mOhms 20 V 1.2 V 22 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
Fiche technique
9,2802027-04-01 attendu
Bande coupée
$7.49
$3.89
$3.54
$3.11
Bobine
$2.53
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 15.1 mOhms 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel