Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

Les diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium (SiC) de Vishay semiconducteurs sont des redresseurs avancés haute performance conçus pour offrir une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications d'électronique de puissance exigeantes. Conçues à partir de la technologie SiC à large bande interdite, ces diodes Vishay offrent une charge de récupération inverse pratiquement nulle, une capacité de commutation extrêmement rapide et une performance qui ne varie pas en fonction de la température., ce qui rend ces dispositifs idéaux pour les systèmes de conversion de puissance haute fréquence de nouvelle génération.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Configuration
If - Courant direct
Vrrm - Tension inverse répétitive
Vf - Tension directe
Ifsm - Courant de surtension direct
Ir - Courant inverse
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Vr - Tension inverse
Série
Conditionnement
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
975En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C 650 V VS-4C12ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
970En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C 650 V VS-4C12ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
548En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
812En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
1,000En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
639En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
584En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
940En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
1,000En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2473L
Fiche technique
422En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C40CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2473L
Fiche technique
475En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C40CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
639En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 650 V 4C06ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
716En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 650 V 4C06ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2473L
Fiche technique
460En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2473L
Fiche technique
455En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
428En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2473L
Fiche technique
425En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-3 Single 30 A 650 V 1,33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30E3P07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
560En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C 650 V VS-4C12ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2472L
Fiche technique
5002027-03-19 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C10EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2472L
Fiche technique
4902026-11-06 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2472L
Fiche technique
5002026-11-06 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
8002026-11-06 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15ET12S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
8002026-11-06 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15ET12S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
9902026-11-06 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15ET12T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
1,0002026-11-06 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15ET12THM3 Tube