Transistors de puissance RF au GaN Airfast A5Gx

Les transistors GaN de puissance RF NXP Semiconductors  A5Gx Airfast sont des transistors GaN de puissance RF Doherty asymétriques 85 W et 112 W. Les transistors  A5Gx NXP Semiconductors sont idéaux pour les stations de base cellulaires nécessitant une large bande passante. La performance des dispositifs est garantie dans la plage de fréquence spécifiée pour chaque composant, mais pas en dehors de celle-ci.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Vds - Tension de rupture drain-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Fréquence de fonctionnement max.
Fréquence de fonctionnement min.
Technologie

NXP Semiconductors FET GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V
Fiche technique
35En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 250

1.995 GHz 1.93 GHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors FET GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
Fiche technique
208En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 2.2 GHz 2.11 GHz GaN-on-Si

NXP Semiconductors FET GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
Fiche technique
30En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 850 MHz 717 MHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors FET GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
Fiche technique
5En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 1.88 GHz 1.805 GHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors FET GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
Fiche technique
2En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 2.69 GHz 2.496 GHz GaN-on-Si


NXP Semiconductors FET GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 53 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C 960 MHz 865 MHz GaN-on-Si