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NTBG014N120M3P

Name: onsemi NTBG014N120M3P
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG014N120M3P
Price: 45.65 CAD
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTBG014N120M3P

N° de fab. :

NTBG014N120M3P

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V

Fiche technique:

NTBG014N120M3P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-7
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	104 A
Rds On - Résistance drain-source:	20 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.63 V
Qg - Charge de grille:	337 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	454 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	14 ns
Transconductance directe - min.:	29 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	40 ns
Série:	NTBG014N120M3P
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Polarité du transistor:	N-Channel
Délai de désactivation type:	74 ns
Délai d'activation standard:	24 ns

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Fiche technique

NTBG014N120M3P Fiche technique

PCN

Product Change Notification 2024-06-26 (PDF)

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

CAHTS:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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Permet des performances exceptionnelles avec une RDS(on) standard de 53 mΩ à VGS = 20 V.

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Tarif est.:

Prix (CAD)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	$45.65	$45.65
	$32.79	$327.90
	$26.78	$13,390.00
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	$26.77	$21,416.00

NTBG014N120M3P

Fab. : onsemi

Description : SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V

Caractéristiques

Documents (2)

Fiche technique

PCN

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

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MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTBG014N120M3P

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