SGT070R70HTO

STMicroelectronics
511-SGT070R70HTO
SGT070R70HTO

Fab. :

Description :
FET GaN 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
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STMicroelectronics
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
TO-LL-11
700 V
26 A
70 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
8.5 nC
- 55 C
+ 150 C
231 W
Enhancement
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Temps de descente: 9 ns
Sensibles à l’humidité: Yes
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Conditionnement: MouseReel
Produit: FET
Type de produit: GaN FETs
Temps de montée: 9 ns
Série: SGT
Nombre de pièces de l'usine: 1800
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Type: PowerGaN Transistor
Délai de désactivation type: 7 ns
Délai d'activation standard: 10 ns
Poids de l''unité: 697 mg
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Fiche technique

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Codes de conformité
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO

Le transistor E-Mode PowerGaN SGT070R70HTO de STMicroelectronics est un transistor haute performance en mode d’amélioration conçu pour des applications exigeantes de conversion d’énergie. Basé sur la technologie au nitrure de gallium (GaN), le SGT070R70HTO de STMicro offre des performances de commutation supérieures avec une faible résistance à l’état passant de 70 mΩ et une charge de grille minimale, permettant une haute efficacité et des pertes réduites dans les opérations à haute fréquence. Avec une tension nominale drain-source de 700 V, le transistor est idéal pour des applications telles que les alimentations électriques, les entraînements à moteur et les systèmes d’énergie renouvelable. Le dispositif présente des performances thermiques robustes et est logé dans un boîtier SONNER compact, ce qui le rend adapté aux conceptions où l'espace et la gestion de la chaleur sont essentiels. La capacité de commutation rapide et la faible capacité d'entrée contribuent à améliorer l'efficacité du système et la densité de puissance, positionnant le SGT070R70HTO comme un choix solide pour les prochaines générations d'électronique de puissance.

Transistors E-Mode G-HEMT™ PowerGaN

Les transistors E-Mode G-HEMT™ PowerGaN de STMicroelectronics sont des dispositifs au nitrure de gallium (GaN) hauteperformance, à enrichissement (normalement désactivés) conçus pour fournir une commutation exceptionnellement rapide, de faibles pertes par conduction et une densité de puissance élevée pour les applications de conversion de puissance exigeantes. Ces transistors tirent parti des avantages de la large bande interdite du nitrure de gallium pour atteindre des capacités extrêmement faibles, une charge de grille minimale et une charge de recouvrement inverse nulle, offrant ainsi une efficacité supérieure par rapport aux commutateurs de puissance en silicium traditionnels.

En stock: 337

Stock:
337 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
$-.--
Ext. Prix:
$-.--
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1800)

Prix (CAD)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ †
$14.34 $14.34
$7.91 $79.10
$7.39 $739.00
$6.03 $6,030.00
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1800)
$6.02 $10,836.00
† Les frais pour $8.50 MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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