NV60x GaNFast™ Power FETs

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs are high‑performance enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems. These FETs feature ultra‑low gate charge, zero reverse‑recovery behavior, and minimized output charge, enabling high‑frequency operation up to 10MHz across the series. The Navitas Semiconductor NV60x supports 700V continuous and 800V transient drain‑to‑source voltages, providing robust headroom for demanding AC‑DC, DC‑DC, and DC‑AC topologies.

Résultats: 8
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Navitas Semiconductor FET GaN GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
Fiche technique
780En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor FET GaN GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
Fiche technique
788En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor FET GaN GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
Fiche technique
739En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor FET GaN GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
Fiche technique
741En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1,000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor FET GaN GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 5,000
Mult. : 5,000
: 5,000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor FET GaN GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 5,000
Mult. : 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor FET GaN GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 5,000
Mult. : 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor FET GaN GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 5,000
Mult. : 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C