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RD3U041AAFRATL

Name: ROHM Semiconductor RD3U041AAFRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3U041AAFRATL
Price: 3.43 CAD
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RD3U041AAFRATL

N° de fab. :

RD3U041AAFRATL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET TO252 250V 4.1A N-CH MOSFET

Fiche technique:

RD3U041AAFRATL Fiche technique

Modèle de ECAO:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	250 V
Id - Courant continu de fuite:	4 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.3 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.5 V
Qg - Charge de grille:	8.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	29 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	15 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	14 ns
Série:	RD3
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	18 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Raccourcis pour l'article N°:	RD3U041AAFRA
Poids de l''unité:	330 mg

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Attributs sélectionnés: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Fiche technique

RD3U041AAFRATL Fiche technique

Specification Sheets

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Codes de conformité

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Thaïlande
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET RD3U041AAFRA de puissance 4 A 250 V à canal N

Le MOSFET de puissance 4 A 250 V canal N RD3U041AAFRA de ROHM Semiconductor dispose d’une faible résistance en marche et d’une commutation rapide. Avec des circuits d'entraînement simples et une tension drain-source de 250 V, le RD3U041AAFRA est adapté aux applications de commutation. Le MOSFET de puissance 250 V 4 A à canal N RD3U041AAFRA de ROHM est un MOSFET de qualité automobile, qui est homologué AEC-Q101.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ROHM SEMICONDUCTOR

MOSFET Super jonction (SJ) 600 V

Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.

MOSFET de puissance à canal P RH7G03BBJFRA

Ce MOSFET possède une tension V_DSS nominale de -40 V et une tension I_D nominale (V_DS = -10 V) de ±22 A.

MOSFET de puissance à canal P RJ1P10BAT

Ce MOSFET a une tension V_DSSnominale de -100 V et une tension I_D nominale (V_DS = 10 V) de ±105 A.

MOSFET de puissance automobile RD3x

MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

MOSFET à canal P RQxAT

Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.

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Prix unitaire:

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Tarif est.:

Prix (CAD)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	$3.43	$3.43
	$1.67	$16.70
	$1.50	$150.00
	$1.19	$595.00
	$1.13	$1,130.00
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	$1.02	$2,550.00

RD3U041AAFRATL

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Fab. : ROHM Semiconductor

Description : MOSFET TO252 250V 4.1A N-CH MOSFET

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