SiC MOSFET – Mouser Canada

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MOSFET de puissance au carbure de silicium de classe automobile

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium de classe automobile STMicroelectronics ont été développés développés à l’aide de la technologie de pointe et innovante SiC MOSFET de 2e/3e génération de S . Les composants sont dotés d’une faible résistance par unité de surface à l’état passant et de très bonnes performances de commutatio . Les MOSFET peuvent fonctionner à des températures très élevées (TJ = 200°C) et comportent une diode de structure interne très rapide et robuste.

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Vds - Tension de rupture drain-source

Id - Courant continu de fuite

Rds On - Résistance drain-source

Vgs - Tension grille-source

Vgs th - Tension de seuil grille-source

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Référence

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: $32.77
11En stock
1,200Sur commande
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
SCT020HU120G3AG

Référence Mouser
511-SCT020HU120G3AG

Nouveau produit

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

Fiche technique

11En stock

1,200Sur commande

Bande coupée

$32.77

$24.48

$20.66

Bobine

$18.72

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: $31.97
630En stock

Fab. Numéro de référence
SCT012W90G3-4AG

Référence Mouser
511-SCT012W90G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

630En stock

$31.97

$20.15

$17.05

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: $38.48
580En stock

Fab. Numéro de référence
SCT015W120G3-4AG

Référence Mouser
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

580En stock

$38.48

$30.80

$26.64

$25.21

Devis

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: $29.13
311En stock
6002027-04-01 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT020W120G3-4AG

Référence Mouser
511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

311En stock

6002027-04-01 attendu

$29.13

$18.22

$17.32

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: $27.29
313En stock
6002027-02-05 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT025W120G3AG

Référence Mouser
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

Fiche technique

313En stock

6002027-02-05 attendu

$27.29

$16.98

$15.93

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: $20.00
460En stock

Fab. Numéro de référence
SCT040W120G3AG

Référence Mouser
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

Fiche technique

460En stock

$20.00

$14.05

$10.73

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: $31.69
11En stock
1,0002027-05-07 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT012H90G3AG

Référence Mouser
511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

Fiche technique

11En stock

1,0002027-05-07 attendu

Bande coupée

$31.69

$22.74

$20.65

$20.64

Bobine

$19.28

Min. : 1
Mult. : 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: $30.38
49En stock
1,2002027-02-05 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT025W120G3-4AG

Référence Mouser
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

49En stock

1,2002027-02-05 attendu

$30.38

$20.97

$19.14

$17.60

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: $19.63
21En stock
600Sur commande

Fab. Numéro de référence
SCT040HU65G3AG

Référence Mouser
511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

Fiche technique

21En stock

600Sur commande

Bande coupée

$19.63

$13.69

$11.13

Bobine

$10.40

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: $35.96
5En stock
1,000Sur commande
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
SCT016H120G3AG

Référence Mouser
511-SCT016H120G3AG

Nouveau produit

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

Fiche technique

5En stock

1,000Sur commande

Bande coupée

$35.96

$25.99

$24.24

$24.22

Bobine

$22.64

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: $30.02
5En stock
6002027-02-19 attendu

Fab. Numéro de référence
SCTW40N120G2VAG

Référence Mouser
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

Fiche technique

5En stock

6002027-02-19 attendu

$30.02

$16.44

$14.24

$13.42

$13.41

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: $39.56
1,1972027-04-30 attendu
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
SCT011HU75G3AG

Référence Mouser
511-SCT011HU75G3AG

Nouveau produit

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

Fiche technique

1,1972027-04-30 attendu

Bande coupée

$39.56

$30.38

$27.29

Bobine

$24.71

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: $26.02
1,9972027-02-19 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT025H120G3AG

Référence Mouser
511-SCT025H120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Fiche technique

1,9972027-02-19 attendu

Bande coupée

$26.02

$18.76

$16.37

$15.71

Bobine

$15.28

Min. : 1
Mult. : 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: $19.63
9962026-11-02 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT040H120G3AG

Référence Mouser
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

Fiche technique

9962026-11-02 attendu

Bande coupée

$19.63

$13.69

$11.13

Bobine

$10.40

Min. : 1
Mult. : 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: $20.81
1,2002027-03-19 attendu
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
SCT040HU120G3AG

Référence Mouser
511-SCT040HU120G3AG

Nouveau produit

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

Fiche technique

1,2002027-03-19 attendu

Bande coupée

$20.81

$14.57

$12.83

Bobine

$11.22

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: $19.48
1,8002027-02-26 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT055HU65G3AG

Référence Mouser
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Fiche technique

1,8002027-02-26 attendu

Bande coupée

$19.48

$14.85

$12.37

Bobine

$11.02

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: $20.94
1,1992026-09-28 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT070HU120G3AG

Référence Mouser
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

Fiche technique

1,1992026-09-28 attendu

Bande coupée

$20.94

$14.73

$12.18

Bobine

$11.38

Min. : 1
Mult. : 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: $18.59
100Sur commande

Fab. Numéro de référence
SCT040W120G3-4

Référence Mouser
511-SCT040W120G3-4

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

100Sur commande

$18.59

$12.47

$10.96

$9.39

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de puissance au carbure de silicium de classe automobile

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