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Modules de puissance MOSFET SiC à branche de phase AgileSwitch®
Les modules de puissance MOSFET SiC (carbure de silicium) à branche de phase AgileStrip® de Microsemi / Microchip sont construits avec des MOSFET SiC et des diodes SiC et combinent les avantages des deux composants. Ces modules de puissance disposent d’un boîtier SP6LI à inductance extrêmement faible avec une inductance parasite maximale de 3 nH. Ces modules de puissance SP6LI sont proposés en variantes 1 200 V et 1 700 V avec une température de boîtier (Tc) de +80 °C. Offrant une densité de puissance plus élevée et un format compact, le boîtier SP6LI permet une plus faible quantité de modules en parallèle pour atteindre des systèmes complets, aidant les concepteurs à réduire davantage leur équipement.