MOSFET à tranchée, canal P et 20 V BSH205G2

Le MOSFET à tranchée et canal P NXP est un transistor à effet de champ (FET) à mode amélioré fourni en petit boîtier plastique SOT23 (TO-236AB) à montage en surface (CMS). Il utilise une technologie MOSFET en tranchée et offre une faible tension de seuil et une commutation très rapide. Ce MOSFET est idéal pour des applications comme les pilotes de relais, les pilotes de ligne à haut débit et les circuits de commutation.
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Nexperia MOSFET BSH205G2A/SOT23/TO-236AB
Fiche technique
172,236Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 118 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 4.6 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET BSH205G2/SOT23/TO-236AB
Fiche technique
Commentaire Produit
32,774Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 170 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 6.5 nC - 55 C + 150 C 890 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET BSH205G2/SOT23/TO-236AB
Fiche technique
19,9992027-01-22 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 10,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 170 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 6.5 nC - 55 C + 150 C 890 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel