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MOSFET de puissance à double canal N et P SH8M
Le MOSFET de puissance Nch+Pch double SH8M de ROHM Semiconductor comprend deux MOSFET 60 V dans un petit boîtier SOP8 à montage en surface avec huit bornes. Il offre une faible résistance à l’état passant, un ID de courant de drain de ±6,5 A/±7 A, un maximum de 32 mΩ à 33 mΩ RDS (on) et une dissipation d'énergie de 2 W. Le MOSFET de puissance Nch+Pch double SH8M de ROHM Semiconductor utilise un placage sans plomb et est sans halogène et conforme à la directive RoHS. Le SH8M est idéal pour les applications de commutation.