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NTMFS3D2N10MDT1G

Name: onsemi NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS3D2N10MDT1G
Price: 6.97 CAD
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

863-NTMFS3D2N10MDT1G

N° de fab. :

NTMFS3D2N10MDT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

Fiche technique:

NTMFS3D2N10MDT1G Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	142 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	48 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	155 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NTMFS3D2N10MD
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

NTMFS3D2N10MDT1G Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-7-9 (PDF)

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

CAHTS:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET à canal N NTMFS3D2N10MD

Le MOSFET à canal N NTTFS012N10MD d'onsemi est conçu à l'aide d'un procédé avancé PowerTrench^® qui intègre la technologie Shielded Gate. Ce processus a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant R_DS(on) afin de réduire les pertes par conduction tout en maintenant des performances de commutation supérieures. Le MOSFET NTMFS3D2N10MD dispose d'une Q_G et d'une capacité faibles pour minimiser les pertes de pilote, d'un Q_RR faible, d'une diode de corps à récupération progressive et d'un Q_OSS faible pour améliorer l'efficacité à faible charge. Les applications typiques comprennent les commutateurs primaires dans les convertisseurs CC-CC isolés, les adaptateurs CA-CC, le redressement synchrone en CC-CC et CA-CC, les moteurs BLDC, les commutateurs de charge et les convertisseurs solaires.

Technologie PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X

MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.

MOSFET de puissance à canal N simple 80 V

Offrent une faible R_DS(on), pour réduire les pertes par conduction, pour une faible QG et pour une capacité à réduire les pertes de pilotes.

MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

Présente une faible R_DS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

En stock: 885

Stock:: 885

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Sur commande:: 1,500

2027-09-03 attendu

3,000

À déterminer
Délai usine :: 52

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

$-.--

Ext. Prix:

$-.--

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+$8.50)

Prix (CAD)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	$6.97	$6.97
	$3.60	$36.00
	$3.27	$327.00
	$3.12	$1,560.00
	$2.89	$2,890.00
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	$2.72	$4,080.00

† Les frais pour $8.50 MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

NTMFS3D2N10MDT1G

Fab. : onsemi

Description : MOSFET PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

Caractéristiques

Documents (2)

Fiche technique

PCN

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

Plus d'informations

MOSFET à canal N NTMFS3D2N10MD

Technologie PowerTrench

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En stock: 885

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MOSFET PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

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