Diodes de commutation de signal faible SWITCH 80V 25MA
UMN1NTR
ROHM Semiconductor
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755-UMN1NTR
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Diodes de commutation de signal faible DIODE-SS 80V AUTO
UMP11NFHTN
ROHM Semiconductor
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755-UMP11NFHTN
ROHM Semiconductor
Diodes de commutation de signal faible DIODE-SS 80V AUTO
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Diodes de commutation de signal faible SWITCH 80V 25MA
UMP1NTR
ROHM Semiconductor
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755-UMP1NTR
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Diodes de commutation de signal faible SW 80V 200MA
UMR12NTN
ROHM Semiconductor
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755-UMR12NTN
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Détecteur RF 100MHz to 2500MHz, 45dB Détecteur RF in a
MAX4003EUA+T
Analog Devices / Maxim Integrated
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700-MAX4003EUAT
Analog Devices / Maxim Integrated
Détecteur RF 100MHz to 2500MHz, 45dB Détecteur RF in a
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Transistors bipolaires - BJT PNP Gen Purpose Amp
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MMPQ2907A
onsemi
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512-MMPQ2907A
onsemi
Transistors bipolaires - BJT PNP Gen Purpose Amp
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MOSFET Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
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ZXMHC6A07N8TC
Diodes Incorporated
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522-ZXMHC6A07N8TC
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MOSFET Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
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Diodes et redresseurs Schottky Quad Schottky Diode Array
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UC3611N
Texas Instruments
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595-UC3611N
Texas Instruments
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Diodes de commutation de signal faible 75V 200mW
BAW567DW-7-F
Diodes Incorporated
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621-BAW567DW-F
Diodes Incorporated
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MOSFET 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
DMHC10H170SFJ-13
Diodes Incorporated
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621-DMHC10H170SFJ-13
Diodes Incorporated
MOSFET 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
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MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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DMHC6070LSD-13
Diodes Incorporated
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621-DMHC6070LSD-13
Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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Modules IGBT 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
F3L75R12W1H3B11BPSA1
Infineon Technologies
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726-F3L75R12W1H3B11B
Infineon Technologies
Modules IGBT 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
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Diodes de commutation de signal faible SWITCH 80V 100MA
EMN11T2R
ROHM Semiconductor
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755-EMN11T2R
ROHM Semiconductor
Diodes de commutation de signal faible SWITCH 80V 100MA
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Diodes de commutation de signal faible 0.1A 80V Switching High-Speed Diode
1SS308(TE85L,F
Toshiba
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757-1SS308TE85LF
Toshiba
Diodes de commutation de signal faible 0.1A 80V Switching High-Speed Diode
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Diodes de commutation de signal faible US6-M8,
HN1D02FU,LF
Toshiba
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757-HN1D02FULF
Toshiba
Diodes de commutation de signal faible US6-M8,
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Diodes de commutation de signal faible High Speed Switching Diode
HN1D03FU,LF
Toshiba
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757-HN1D03FULF
Toshiba
Diodes de commutation de signal faible High Speed Switching Diode
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Diodes de commutation de signal faible BAV199S-Q/SOT363/SC-88
BAV199S-QZ
Nexperia
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$1.11
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771-BAV199S-QZ
Nexperia
Diodes de commutation de signal faible BAV199S-Q/SOT363/SC-88
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Diodes de commutation de signal faible BAV70SRA/SOT1268/DFN1412-6
BAV70SRAZ
Nexperia
1:
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10,000 2027-04-23 attendu
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771-BAV70SRAZ
Nexperia
Diodes de commutation de signal faible BAV70SRA/SOT1268/DFN1412-6
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Diodes de commutation de signal faible BAV756S/SOT363/SC-88
BAV756S,115
Nexperia
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771-BAV756S115
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Diodes de commutation de signal faible BAV756S/SOT363/SC-88
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Diodes de commutation de signal faible BAV99S/SOT363/SC-88
BAV99S,115
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771-BAV99S-T/R
Nexperia
Diodes de commutation de signal faible BAV99S/SOT363/SC-88
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Diodes de commutation de signal faible BAW56SRA/SOT1268/DFN1412-6
BAW56SRAZ
Nexperia
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771-BAW56SRAZ
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Diodes de commutation de signal faible BAW56SRA/SOT1268/DFN1412-6
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Transistors bipolaires - BJT 4 PNP Matched Trans. Array DIP-14
+1 image
320P14-U
THAT
1:
$17.02
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Fin de vie
Référence Mouser
887-320P14-U
Fin de vie
THAT
Transistors bipolaires - BJT 4 PNP Matched Trans. Array DIP-14
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Transistors bipolaires - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 500mA 650mW
MPQ2222A PBFREE
Central Semiconductor
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1,975 2026-11-06 attendu
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610-MPQ2222A-PB
Central Semiconductor
Transistors bipolaires - BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 500mA 650mW
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Transistors bipolaires - BJT . .
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MPQ3904 PBFREE
Central Semiconductor
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Référence Mouser
610-MPQ3904
Central Semiconductor
Transistors bipolaires - BJT . .
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MOSFET 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge
ZXMHC10A07T8TA
Diodes Incorporated
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522-ZXMHC10A07T8TA
Fin de vie
Diodes Incorporated
MOSFET 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge
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