Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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Micro Commercial Components (MCC) BAT46L2 Schottky Diode

03-12-2026

- 150mW small-signal Schottky diode designed for high‑speed switching applications.

Micro Commercial Components (MCC) SMB15J33CAHE3 TVS Diode

07-14-2025

- 1500W bidirectional diode designed to protect sensitive electronics from high‑energy voltage spikes.

Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06-30-2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs

04-16-2025

- Use Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.

Micro Commercial Components (MCC) BSS84AK MOSFET

04-10-2025

- Small-signal P-channel MOSFET designed with efficient switching performance.

Micro Commercial Components (MCC) 600V MSJL120N60FH MOSFET

02-12-2025

- Uses superjunction technology and a FRED body diode to facilitate high-speed switching and recovery.

Micro Commercial Components (MCC) ZENER SMAF Diodes

02-12-2025

- Feature a compact design, high-temperature resilience, and a 6.2V to 100V wide voltage range.

Micro Commercial Components (MCC) 40V MCACLF320N04Y N-Channel Power MOSFET

02-12-2025

- High efficiency and reliable MOSFET designed for diverse high-power applications.

Micro Commercial Components (MCC) Super-Low Capacitance Dual Line ESD Diodes

02-07-2025

- Ultra-low capacitance 3.3V and 5V ESD diodes with snapback technology and high-power TVS.

Micro Commercial Components (MCC) UG2xHL Super Fast Recovery Rectifiers

01-02-2025

- 2A, 200V to 600V rectifiers, designed to minimize energy losses in high-frequency applications.

Micro Commercial Components (MCC) CSPHSBULC5V0LB ESD Protection Diode

01-01-2025

- Compact snap-back ESD protection device that comes in an ultra‑small CSP1006‑2 package.

Micro Commercial Components (MCC) MCG085P10 Power MOSFET

01-01-2025

- P-channel power MOSFET designed using Trench power LV MOSFET technology.

Micro Commercial Components (MCC) ESDSBHCx Single Line ESD Diodes

12-30-2024

- 4.5V and 6.3V ESD diodes with bidirectional snapback design in a compact DFN1610-2 package.

Micro Commercial Components (MCC) MCWx 600V N-Channel Power MOSFETs

12-30-2024

- Three advanced 600V components, engineered for low losses, fast switching, and high efficiency.

Micro Commercial Components (MCC) IGBT à arrêt de champ en tranchée MIS80N120NT1YHE3 1 200 V

11-28-2024

- Made for efficiency with low saturated VCE and minimal switching losses.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET à canal N MCTL2D0N10YHR de 100 V

11-25-2024

- Wide SOA and low RDS(on) efficient and reliable solution for linear mode operation.

Micro Commercial Components (MCC) 5000W TVS Diodes

11-22-2024

- Designed to provide superior protection against transient voltage spikes.

Micro Commercial Components (MCC) Diodes DES à ultra-faible capacité

11-15-2024

- Feature 2.9V clamping voltage and 0.2pF ultra-low capacitance for shielding devices from ESD.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de puissance à super-jonction à canal N 600 V

10-04-2024

- Disposent d’une faible résistance à l’état passant, d’une faible perte de conduction et d’une commutation douce avec une diode à récupération inverse rapide.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de puissance à super-jonction et à canal N MCU1K4N95SH

10-03-2024

- Dispose d’une faible charge grille-drain, réduisant les pertes de conduction et amplifiant le rendement global.

Micro Commercial Components (MCC) Dispositifs de protection ESD automobile ESDULCx

09-27-2024

- Conçus pour une seule ligne de données ou de puissance, ils offrent des performances exceptionnelles pour les applications modernes.

Micro Commercial Components (MCC) Diode TVS SM6S24AHE3

09-18-2024

- Conçu pour une protection invariable contre les surtensions dans un boîtier DO-218AB-2 compact.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET à canal N MCGL2D1N03YL

09-04-2024

- MOSFET de puissance 30 V, conçu pour fournir de bonnes performances thermiques avec de faibles pertes de puissance.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET SICW0x SiC à canal N 1 200 V

09-03-2024

- Amplifiez les performances dans des boîtiers polyvalents TO-247-4, TO-247-4L et TO-247AB.

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET à canal N 600 V

09-03-2024

- La technologie à super-jonction (SJ) intègre une faible RDS(on) et une diode à récupération rapide intégrée.

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Qorvo Transistor GaN à entrée adaptée QPD1000A

10-14-2026

- HEMT discret GaN‑on‑SiC, entrée 50Ω, adapté à une impédance d’entrée de 50 Ω, fonctionnement de 30 MHz à 1 215 MHz sur un rail d’alimentation de 28 V.

Qorvo Transistors de puissance RF au GaN QPD1426/QPD1426L

10-06-2026

- 220 W HEMT discrets GaN-on-SiC fonctionnant de 1,2 GHz à 1,4 GHz.

Qorvo Transistor de puissance RF au GaN QPD2562L

10-06-2026

- Un HEMT GaN-sur-SiC discret de 200 W à 300 W qui fonctionne de 2,5 GHz à 2,9 GHz et de 2,9 GHz à 3,3 GHz.

Littelfuse Diode TVS LTKAK1.5-L

10-05-2026

- Affiche une tension d'écrêtage inférieure à celle de technologies concurrentes telles que les MOV et les GDT.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK6-FB

10-05-2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK8-FB

10-05-2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Infineon Technologies Module MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™

10-02-2026

- Module MOSFET CoolSiC 1 400 V pour onduleurs de traction de véhicules utilitaires électriques.

Littelfuse Barrette de diodes TVS SP4315-01WTG

10-01-2026

- Conception bidirectionnelle, capacité ultra-faible, protège les équipements électroniques contre des DES destructrices.

Littelfuse Diodes à barrière de Schottky en silicium automobiles DSxARP

09-22-2026

- Permet une faible chute de tension directe et des performances électriques stables.

IXYS Modules de diodes de coupure IXBOD2

09-22-2026

- Fournissent une protection contre les surtensions rapide et fiable dans des applications d'électronique de puissance exigeantes.

onsemi MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X

09-17-2026

- MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.

Vishay MOSFET de puissance 40 V à canal P automobile SQD50P04-09L

09-16-2026

- Le dispositif est idéal pour les applications de contrôle de la puissance dans le secteur automobile, la distribution d’énergie et les applications industrielles.

STMicroelectronics TVS unidirectionnelle à ligne unique TVS221SC-1T2

09-15-2026

- Conçue pour protéger la ligne électrique ou d'autres E/S bas débit contre les transitoires DES et les petits transitoires de surtension.

onsemi Diode de protection DES ESDM1021

09-14-2026

- Diode DES bidirectionnelle compacte de 2 V pour la protection des broches GPIO et des lignes d’alimentation basse tension.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09-14-2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK1-A

09-10-2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK10-FB

09-10-2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diode TVS automobile TP7.0SMD-XC

09-10-2026

- Protège les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires induites par la foudre.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-FB

09-10-2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-A

09-10-2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Texas Instruments JFET double à canal N faible puissance JFE2325

09-09-2026

- Conçu pour une utilisation avec des capteurs à très haute impédance tels que les microphones à condensateur électret (ECM).

IXYS MOSFET SiC IXSH50N120L3KHV

09-02-2026

- MOSFET SiC 1200 V, 55 mΩ et 48,3 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV

09-02-2026

- MOSFET SiC 1200 V, 35 mΩ et 67 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH100N120L3KHV

09-02-2026

- MOSFET SiC 1200 V, 21 mΩ et 102 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH110N120L3KHV

09-02-2026

- MOSFET SiC 1200 V, 18 mΩ et 112 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

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