Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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Vishay MOSFET de puissance 40 V à canal P automobile SQD50P04-09L

09-16-2026

- Le dispositif est idéal pour les applications de contrôle de la puissance dans le secteur automobile, la distribution d’énergie et les applications industrielles.

Vishay MOSFET à canal N 750 V MaxSiC ® MXP075

06-19-2026

- Présente une tension drain-source de 750 V, une vitesse de commutation rapide et un temps de tenue aux courts-circuits de 3 μs.

Vishay Redresseurs haute tension à récupération standard S07x-M

04-07-2026

- Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 1 000 V.

Vishay Redresseurs à récupération rapide RS07x

04-07-2026

- Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 800 V.

Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 V

04-02-2026

- Ce dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.

Vishay Suppresseurs de tension transitoire XClampR® XFD11K

03-18-2026

- Les dispositifs bidirectionnels à montage en surface conçus pour une stabilité à haute température et une haute fiabilité.

Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS

03-18-2026

- TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.

Vishay Diodes TVS 3KDFN12CA à 3KDFN100CA

03-02-2026

- Diodes TVS Transzorb®, conçues pour protéger les circuits électroniques sensibles contre les pics de tension.

Vishay Pont redresseur en ligne simple KBPE0480

02-16-2026

- Ces dispositifs ont une faible chute de tension directe et sont disponibles en boîtier KBP.

Vishay Redresseurs CMS SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6

02-10-2026

- Ces dispositifs sont disponibles dans un boîtier à profil mince, avec une hauteur standard de seulement 0,88 mm.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02-03-2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02-03-2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02-03-2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

02-03-2026

- Offrent une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications exigeantes d’électronique de puissance.

Vishay Redresseurs VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen 7 FRED Pt®

06-03-2025

- Redresseurs hyperrapides de 1 200 V, 1 A ou 2 A dans un boîtier SlimSMA HV (DO-221AC).

Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier

05-20-2025

- Offers low forward voltage drop & noise with high surge current in a thin single-in-line package.

Vishay Redresseurs en pont monophasiques passivés au verre

04-17-2025

- Idéal pour la rectification en onde complète en pont CA/CC pour les moniteurs, les imprimantes et les applications d'adaptateur.

Vishay Suppresseurs de tension transitoire PAR® monté en surface

04-17-2025

- Idéal pour une utilisation dans la protection de l'électronique sensible contre les transitoires de tension induits par la foudre.

Vishay SxBx Surface-Mount Glass Passivated Rectifiers

04-03-2025

- Offers current ratings from 1.0A to 5.0A and peak reverse voltages ranging from 400V to 1000V.

Vishay Diode à récupération ultra-rapide et douce VS-EBU15006HN4

03-25-2025

- Diode de 150 A, optimisée pour réduire les pertes et les EMI/RFI dans les systèmes de conditionnement de puissance à haute fréquence.

Vishay MOSFET de puissance en carbure de silicium VS-VF à commutation unique

03-17-2025

- MOSFET SiC haute performance, idéaux pour les applications de commutation haute fréquence.

Vishay Modules d'alimentation MOSFET SiC MAACPAK PressFit

03-17-2025

- Conçus pour augmenter l'efficacité et la fiabilité pour les applications de fréquence moyenne à élevée.

Vishay Diodes de protection DES

03-14-2025

- Elles offrent une faible résistance thermique et des valeurs de courant et de puissance étendues dans un boîtier SOT-23.

Vishay Diodes à pont monophasé SiC VS-SCx0BA120

11-12-2024

- Composants robustes et haute performance pour une conversion de puissance efficace dans diverses applications.

Vishay MOSFET à canal N SiJK5100E

11-11-2024

- MOSFET de puissance TrenchFET® Gén V avec une tension drain-source de 100 V et une puissance dissipable admissible de 536 W.

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Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch E-Mode Field-Effect Transistor

10-19-2026

- Features low on-resistance, a very low gate threshold voltage, and fast switching performance.

Qorvo Transistor GaN à entrée adaptée QPD1000A

10-14-2026

- HEMT discret GaN‑on‑SiC, entrée 50Ω, adapté à une impédance d’entrée de 50 Ω, fonctionnement de 30 MHz à 1 215 MHz sur un rail d’alimentation de 28 V.

Qorvo Transistors de puissance RF au GaN QPD1426/QPD1426L

10-06-2026

- 220 W HEMT discrets GaN-on-SiC fonctionnant de 1,2 GHz à 1,4 GHz.

Qorvo Transistor de puissance RF au GaN QPD2562L

10-06-2026

- Un HEMT GaN-sur-SiC discret de 200 W à 300 W qui fonctionne de 2,5 GHz à 2,9 GHz et de 2,9 GHz à 3,3 GHz.

Littelfuse Diode TVS LTKAK1.5-L

10-05-2026

- Affiche une tension d'écrêtage inférieure à celle de technologies concurrentes telles que les MOV et les GDT.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK6-FB

10-05-2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK8-FB

10-05-2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Infineon Technologies Module MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™

10-02-2026

- Module MOSFET CoolSiC 1 400 V pour onduleurs de traction de véhicules utilitaires électriques.

Littelfuse Barrette de diodes TVS SP4315-01WTG

10-01-2026

- Conception bidirectionnelle, capacité ultra-faible, protège les équipements électroniques contre des DES destructrices.

Littelfuse Diodes à barrière de Schottky en silicium automobiles DSxARP

09-22-2026

- Permet une faible chute de tension directe et des performances électriques stables.

IXYS Modules de diodes de coupure IXBOD2

09-22-2026

- Fournissent une protection contre les surtensions rapide et fiable dans des applications d'électronique de puissance exigeantes.

onsemi MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X

09-17-2026

- MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.

Vishay MOSFET de puissance 40 V à canal P automobile SQD50P04-09L

09-16-2026

- Le dispositif est idéal pour les applications de contrôle de la puissance dans le secteur automobile, la distribution d’énergie et les applications industrielles.

STMicroelectronics TVS unidirectionnelle à ligne unique TVS221SC-1T2

09-15-2026

- Conçue pour protéger la ligne électrique ou d'autres E/S bas débit contre les transitoires DES et les petits transitoires de surtension.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09-14-2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

onsemi Diode de protection DES ESDM1021

09-14-2026

- Diode DES bidirectionnelle compacte de 2 V pour la protection des broches GPIO et des lignes d’alimentation basse tension.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK10-FB

09-10-2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-FB

09-10-2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-A

09-10-2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diode TVS automobile TP7.0SMD-XC

09-10-2026

- Protège les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires induites par la foudre.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK1-A

09-10-2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Texas Instruments JFET double à canal N faible puissance JFE2325

09-09-2026

- Conçu pour une utilisation avec des capteurs à très haute impédance tels que les microphones à condensateur électret (ECM).

IXYS MOSFET SiC IXSH100N120L3KHV

09-02-2026

- MOSFET SiC 1200 V, 21 mΩ et 102 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV

09-02-2026

- MOSFET SiC 1200 V, 35 mΩ et 67 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH50N120L3KHV

09-02-2026

- MOSFET SiC 1200 V, 55 mΩ et 48,3 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

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