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MOSFETs SiC MOSFET

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Résultats: 161

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Nombre de canaux

Vds - Tension de rupture drain-source

Id - Courant continu de fuite

Rds On - Résistance drain-source

Vgs - Tension grille-source

Vgs th - Tension de seuil grille-source

Qg - Charge de grille

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Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	Style de montage	Package/Boîte	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal	Nom commercial
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: $43.57 1,139En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMW120R014M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW120R014M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Fiche technique	1,139En stock	$43.57 $29.28	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole		1 Channel	1.2 kV	127 A	14 mOhms	- 10 V, + 23 V	4.2 V	110 nC	- 55 C	+ 150 C	455 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial C3M0040120J1 Wolfspeed 1: $18.69 661En stock	Fab. Numéro de référence C3M0040120J1 Référence Mouser 941-C3M0040120J1	Wolfspeed	SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial En savoir plus sur Wolfspeed c3m 1200vsic mosfets	Fiche technique	661En stock	$18.69 $10.58 $10.50 $10.44 $9.76	Min. : 1 Mult. : 1	SMD/SMT		1 Channel	1.2 kV	64 A	53.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	94 nC	- 40 C	+ 150 C	272 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial C3M0075120K-A Wolfspeed 1: $12.59 670En stock	Fab. Numéro de référence C3M0075120K-A Référence Mouser 941-C3M0075120K-A	Wolfspeed	SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial En savoir plus sur Wolfspeed c3m 1200vsic mosfets	Fiche technique	670En stock	$12.59 $7.34 $6.77 $6.39 $5.85	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	32 A	90 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	53 nC	- 40 C	+ 175 C	136 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R057M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: $13.54 1,995En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG65R057M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG65R057M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	1,995En stock	Bande coupée $13.54 $7.88 $7.27 $6.81 Bobine $6.48 MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	39 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	161 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: $8.97 1,000En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG65R163M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG65R163M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	1,000En stock	Bande coupée $8.97 $4.74 $3.50 $3.48 Bobine $3.48 MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	17 A	217 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	85 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: $26.24 143En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG65R022M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG65R022M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	143En stock	Bande coupée $26.24 $16.20 $15.75 Bobine $15.34 MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	64 A	30 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC CDMS24740-170 SL PBFREE Central Semiconductor 1: $56.95 17En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence CDMS24740-170 SL PBFREE Référence Mouser 610-CDMS24740-170SL Nouveau produit	Central Semiconductor	SiC MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC En savoir plus sur Central Semiconductor central semi 1700v n channel sic mosfets	Fiche technique	17En stock	$56.95 $46.60 $41.17 Afficher Devis	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	26 A	40 mOhms	20 V	2.4 V		- 55 C	+ 175 C	28 W	Depletion
SiC MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial C3M0045065J1 Wolfspeed 1: $15.41 601En stock	Fab. Numéro de référence C3M0045065J1 Référence Mouser 941-C3M0045065J1	Wolfspeed	SiC MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial En savoir plus sur Wolfspeed 650v sic mosfets	Fiche technique	601En stock	$15.41 $8.55 $8.15 $8.11 $7.57	Min. : 1 Mult. : 1	SMD/SMT		1 Channel	650 V	47 A	60 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	61 nC	- 40 C	+ 150 C	147 W	Enhancement
SiC MOSFET 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor 1: $89.29 1,614En stock	Fab. Numéro de référence G3R12MT12K Référence Mouser 905-G3R12MT12K	GeneSiC Semiconductor	SiC MOSFET 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET En savoir plus sur GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Fiche technique	1,614En stock	$89.29 $83.13 $80.81 $80.04	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	111 A	12 mOhms	- 10 V, + 22 V	2.7 V	288 nC	- 55 C	+ 175 C	567 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: $9.71 753En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG65R107M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG65R107M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	753En stock	Bande coupée $9.71 $5.69 $5.18 $4.88 Bobine $4.68 MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	24 A	141 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	110 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R048M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: $14.60 1,019En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG65R048M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG65R048M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	1,019En stock	Bande coupée $14.60 $8.08 $7.57 $7.46 Bobine $7.17 MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	45 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	183 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: $10.70 861En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG65R072M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG65R072M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	861En stock	Bande coupée $10.70 $6.72 $6.16 $5.80 Bobine $5.75 MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	33 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	140 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor 1: $10.38 1,702En stock	Fab. Numéro de référence G3R450MT17D Référence Mouser 905-G3R450MT17D	GeneSiC Semiconductor	SiC MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET En savoir plus sur GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Fiche technique	1,702En stock	$10.38 $9.33 $8.94 $8.38 Afficher $8.04 $7.78 $7.53 Devis	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	7 A	450 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	70 W	Enhancement
SiC MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC SCT4018KWATL ROHM Semiconductor 1: $40.18 994En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence SCT4018KWATL Référence Mouser 755-SCT4018KWATL Nouveau produit	ROHM Semiconductor	SiC MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC En savoir plus sur ROHM Semiconductor rohm sct40xkwa power mosfets	Fiche technique	994En stock	Bande coupée $40.18 $27.91 $27.89 Bobine $26.06	Min. : 1 Mult. : 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7LA	1 Channel	1.2 kV	75 A	23.4 mOhms	- 4 V, + 21 V	4.8 V	170 nC		+ 175 C		Enhancement
SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L GP3T020A120H SemiQ 1: $18.12 391En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence GP3T020A120H Référence Mouser 148-GP3T020A120H Nouveau produit	SemiQ	SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L En savoir plus sur SemiQ gen3 1200v sic mosfets	Fiche technique	391En stock	$18.12 $10.87 $10.86 $9.36	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4L	1 Channel	1.2 kV	280 A	25 mOhms	- 4.5 V, + 18 V	4 V	234 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial C3M0900170J-TR Wolfspeed 1: $8.54 2,442En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence C3M0900170J-TR Référence Mouser 941-C3M0900170J-TR Nouveau produit	Wolfspeed	SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial En savoir plus sur Wolfspeed 1700v discrete sic mosfets	Fiche technique	2,442En stock	Bande coupée $8.54 $4.82 $4.18 $3.47 Bobine $3.17 $2.64	Min. : 1 Mult. : 1 : 800	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1700 V	4.4 A	1.25 Ohms	- 8 V, + 20 V	4.2 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	41 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: $21.10 997En stock 750Sur commande Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IMCQ120R026M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMCQ120R026M2HXT Nouveau produit	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Fiche technique	997En stock 750Sur commande	Bande coupée $21.10 $12.23 $12.00 Bobine $11.42 MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	82 A	67 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	63.4 nC	- 55 C	+ 175 C	405 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: $17.87 1,507En stock 750Sur commande Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IMCQ120R034M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMCQ120R034M2HXT Nouveau produit	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Fiche technique	1,507En stock 750Sur commande	Bande coupée $17.87 $12.93 $10.77 $9.60 Bobine $8.97	Min. : 1 Mult. : 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	64 A	89 mOhms	- 10 V, + 25 C	5.1 V	48.7 nC	- 55 C	+ 175 C	326 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: $16.62 675En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IMCQ120R040M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMCQ120R040M2HXT Nouveau produit	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Fiche technique	675En stock	Bande coupée $16.62 $9.30 $8.96 $8.37 Bobine $8.37	Min. : 1 Mult. : 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	56 A	104 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	42.4 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: $13.95 314En stock 7502026-11-30 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IMCQ120R053M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMCQ120R053M2HXT Nouveau produit	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Fiche technique	314En stock 7502026-11-30 attendu	Bande coupée $13.95 $7.68 $7.13 $6.65 Bobine $6.65	Min. : 1 Mult. : 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	43 A	138 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	32.8 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: $12.25 2,155En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IMCQ120R078M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMCQ120R078M2HXT Nouveau produit	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Fiche technique	2,155En stock	Bande coupée $12.25 $6.65 $6.11 $5.98 Bobine $5.60	Min. : 1 Mult. : 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	31 A	205 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	23.2 nC	- 55 C	+ 175 C	176 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R012M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: $41.21 228En stock 2402026-11-30 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IMZA120R012M2HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZA120R012M2HXK Nouveau produit	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Fiche technique	228En stock 2402026-11-30 attendu	$41.21 $32.99 $28.53 $27.01 Devis Devis	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV		16 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	480 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R022M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: $27.40 267En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IMZA120R022M2HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZA120R022M2HXK Nouveau produit	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Fiche technique	267En stock	$27.40 $20.88 $17.40 $15.49 Devis Devis	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV	80 A	29 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	329 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R026M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: $22.77 310En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IMZA120R026M2HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZA120R026M2HXK Nouveau produit	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Fiche technique	310En stock	$22.77 $17.34 $14.44 $12.87 $10.93	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV	69 A	34 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	289 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L IXSA110N65L2-7TR IXYS 1: $18.69 900En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IXSA110N65L2-7TR Référence Mouser 747-IXSA110N65L2-7TR Nouveau produit	IXYS	SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L En savoir plus sur IXYS ixsxnxl2kx sic mosfets	Fiche technique	900En stock	Bande coupée $18.69 $10.58 $10.44 $9.89 Bobine $9.89 MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 800	SMD/SMT	TO-263-7L	1 Channel	650 V	111 A	33 mOhms	- 5 V, + 20 V	4.5 V	125 nC	- 55 C	+ 175 C	600 W	Enhancement