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NVBLS1D7N10MCTXG

Name: onsemi NVBLS1D7N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D7N10MCTXG
Price: 11.42 CAD
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVBLS1D7N10MCTXG

N° de fab. :

NVBLS1D7N10MCTXG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 100V STD TOLL

Fiche technique:

NVBLS1D7N10MCTXG Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	H-PSOF-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	265 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	115 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	303 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	31 ns
Transconductance directe - min.:	220 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	38 ns
Série:	NVBLS1D7N10MC
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	76 ns
Délai d'activation standard:	48 ns

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Fiche technique

NVBLS1D7N10MCTXG Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

CAHTS:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET PowerTrench® à canal N NVBLS1D7N10MCTXG

Le MOSFET PowerTrench^® à canal N NVBLS1D7N10MCTXG d'onsemi délivre des performances thermiques élevées et un faible R_DS(on) pour minimiser les pertes de conduction. Le NVBLS1D7N10MCTXG est certifié AEC-Q101 et compatible PPAP, idéal pour les applications automobiles.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

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Offrent une faible R_DS(on), pour réduire les pertes par conduction, pour une faible QG et pour une capacité à réduire les pertes de pilotes.

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Présente une faible R_DS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

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MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

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Prix (CAD)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	$11.42	$11.42
	$7.73	$77.30
	$5.64	$564.00
	$5.46	$2,730.00
	$5.16	$5,160.00
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	$5.16	$10,320.00

NVBLS1D7N10MCTXG

Fab. : onsemi

Description : MOSFET PTNG 100V STD TOLL

Caractéristiques

Documents (2)

Fiche technique

PCN

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

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Fab. :

onsemi

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