Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

NVMFWS004N10MCT1G

Name: onsemi NVMFWS004N10MCT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS004N10MCT1G
Price: 5.93 CAD
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-VMFWS004N10MCT1G

N° de fab. :

NVMFWS004N10MCT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 100V STD SO8FL

Fiche technique:

NVMFWS004N10MCT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NVMFWS004N10MCT1G

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	138 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	48 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	164 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	13 ns
Transconductance directe - min.:	120 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	18 ns
Série:	NVMFWS004N10MC
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	39 ns
Délai d'activation standard:	25 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NVMFWS004N10MCT1G Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance monocanal N NVMFWS004N10MC

Les MOSFET de puissance monocanal N NVMFWS004N10MC d'onsemi fournissent un courant de drain continu de 138 A, une R_{DS (ON)} de 3,9 mΩ à 10 V et une tension drain-source de 100 V. Le NVMFWS004N10MC est disponible en boîtier plat avec broches de 5 mm x 6 mm développé pour des conceptions compactes et efficaces. Le MOSFET homologué AEC-Q101 d'onsemi est compatible PHPP et idéal pour les applications automobiles.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

Présente une faible R_DS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

En stock: 2,988

Stock:: 2,988 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 53 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

$-.--

Ext. Prix:

$-.--

Tarif est.:

Prix (CAD)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	$5.93	$5.93
	$3.07	$30.70
	$2.78	$278.00
	$2.29	$1,145.00
	$2.03	$2,030.00
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	$2.03	$3,045.00

NVMFWS004N10MCT1G

Fab. : onsemi

Description : MOSFET PTNG 100V STD SO8FL

Caractéristiques

Documents (3)

Fiche technique

PCN

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

Plus d'informations

MOSFET de puissance monocanal N NVMFWS004N10MC

Nos clients ont également acheté

PRODUITS PRÉSENTÉS ONSEMI

En stock: 2,988

Prix (CAD)

Aperçu rapide

Une erreur inattendue est survenue.

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 100V STD SO8FL

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI