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MOSFET 6 V 2N7002L à canal N
Le MOSFET à canal N 6 V 2N7002L de Texas Instruments est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en conservant des performances de commutation rapides. Ces MOSFET sont des transistors à effet de champ présentés dans un boîtier en plastique, caractérisés par une faible tension de seuil de grille et une faible capacité d'entrée. Les MOSFET à canal N 2N7002L présentent une tension drain-source de 6 V, une tension grille-source de 7 V, un courant de source de 1,4 A et un courant de drain pulsé de 1,43 A (t p = 1 s). Ces MOSFET fonctionnent sur une plage de température de -65 °C à 150 °C et comprennent une température de broche de 260 °C pour le soudage. Les applications typiques incluent l'électronique personnelle, l'automatisation des bâtiments et l'automatisation industrielle.