Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

R6004PND3FRATL

Name: ROHM Semiconductor R6004PND3FRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R6004PND3FRATL
Price: 5.77 CAD
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

755-R6004PND3FRATL

N° de fab. :

R6004PND3FRATL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 1st Gen, for Auto

Fiche technique:

R6004PND3FRATL Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de ROHM Semiconductor R6004PND3FRATL

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	4 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.8 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	11 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	65 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	39 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	28 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	44 ns
Délai d'activation standard:	23 ns
Raccourcis pour l'article N°:	R6004PND3FRA
Poids de l''unité:	330 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtrer les documents:

Fiche technique

R6004PND3FRATL Fiche technique

Specification Sheets

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Thaïlande
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET automobile à canal N 600 V R6004PND3FRA

Le MOSFET automobile à canal N 600 V R6004PND3FRA de ROHM Semiconductor est un MOSFET à faible résistance à l'état passant avec un retard de commutation rapide. Ce MOSFET de ROHM Semiconductor intègre des circuits d'entraînement simples et est homologué AEC-Q101. Le MOSFET R6004PND3FRA offre une résistance drain-source de 1,8 Ω (R_{DS (on)}), un courant de drain continu (I_D) de ±4 A et une dissipation de puissance (P_D) de 65 W. Ce MOSFET est idéal pour les alimentations de commutation.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ROHM SEMICONDUCTOR

MOSFET Super jonction (SJ) 600 V

Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.

MOSFET de puissance à canal P RH7G03BBJFRA

Ce MOSFET possède une tension V_DSS nominale de -40 V et une tension I_D nominale (V_DS = -10 V) de ±22 A.

MOSFET de puissance à canal P RJ1P10BAT

Ce MOSFET a une tension V_DSSnominale de -100 V et une tension I_D nominale (V_DS = 10 V) de ±105 A.

MOSFET de puissance automobile RD3x

MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

MOSFET à canal P RQxAT

Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.

En stock: 1,855

Stock:: 1,855 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 23 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

$-.--

Ext. Prix:

$-.--

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+$8.50)

Prix (CAD)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	$5.77	$5.77
	$3.38	$33.80
	$2.65	$265.00
	$2.32	$1,160.00
	$2.28	$2,280.00
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	$1.93	$4,825.00
	$1.89	$9,450.00

† Les frais pour $8.50 MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

R6004PND3FRATL

Fab. : ROHM Semiconductor

Description : MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 1st Gen, for Auto

Caractéristiques

Commentaire Produit

Documents (3)

Fiche technique

Specification Sheets

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

Plus d'informations

MOSFET automobile à canal N 600 V R6004PND3FRA

Nos clients ont également acheté

PRODUITS PRÉSENTÉS ROHM SEMICONDUCTOR

En stock: 1,855

Prix (CAD)

Aperçu rapide

Une erreur inattendue est survenue.

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 1st Gen, for Auto

PRODUITS PRÉSENTÉS

ROHM SEMICONDUCTOR