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MOSFET à super-jonction PrestoMOS™ 600 V 4e génération
Les MOSFET à super jonction PrestoMOS™ de 4e génération 600 V de ROHM Semiconductor utilisent une technologie originale brevetée pour accélérer la diode parasite, ce qui permet d'obtenir des caractéristiques de récupération inverse ultra-rapides pour obtenir une faible consommation d'énergie. La conception PrestoMOS permet une réduction de la perte d'énergie d'environ 58 % à des charges légères par rapport aux implémentations d'IGBT. De plus, l'élévation de la tension de référence nécessaire pour allumer le MOSFET empêche l'auto-allumage, qui est l'une des principales causes de perte. La diode parasite intégrée optimisée améliore l'indice de récupération progressive spécifique aux MOSFET à super-jonction, ce qui réduit le bruit pouvant entraîner un dysfonctionnement.