SiC MOSFET – Mouser Canada

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MOSFET au carbure de silicium de 3e génération 650 V et 1200 V

Les MOSFETs Silicon Carbide 3e Génération 650V et 1200V de Toshiba sont conçus pour des applications industrielles haute puissance, telles que les alimentations AC-DC à entrée 400 V et 800 V AC, les onduleurs photovoltaïques (PV) et les convertisseurs DC-DC bidirectionnels pour alimentations sans interruption (UPS). Ces MOSFET Toshiba contribuent de manière significative à réduire la consommation d'énergie et à améliorer la densité de puissance grâce à la technologie SiC. Cette technologie permet des tensions plus élevées, une commutation plus rapide et une résistance à l’état passant plus faible. La conception offre une fiabilité accrue, ainsi qu'une faible capacité d'entrée, une faible charge de grille commune et une résistance drain-source à l'état passant pouvant descendre jusqu'à 15 mΩ.

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Vds - Tension de rupture drain-source

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Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	Style de montage	Package/Boîte	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm TW015Z65C,S1F Toshiba 1: $24.80 132En stock	Fab. Numéro de référence TW015Z65C,S1F Référence Mouser 757-TW015Z65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	132En stock	$24.80 $20.69 $14.41 $14.27	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	100 A	15 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	128 nC		+ 175 C	342 W	Enhancement
SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW031V65C,LQ Toshiba 1: $16.75 2,500En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TW031V65C,LQ Référence Mouser 757-TW031V65CLQ Nouveau produit	Toshiba	SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	2,500En stock	Bande coupée $16.75 $12.41 Bobine $12.41	Min. : 1 Mult. : 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	53 A	45 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	65 nC		+ 175 C	156 W	Enhancement
SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW054V65C,LQ Toshiba 1: $13.09 2,480En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TW054V65C,LQ Référence Mouser 757-TW054V65CLQ Nouveau produit	Toshiba	SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	2,480En stock	Bande coupée $13.09 $8.99 Bobine $8.99	Min. : 1 Mult. : 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	36 A	81 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	41 nC		+ 175 C	132 W	Enhancement
SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW092V65C,LQ Toshiba 1: $10.87 2,493En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TW092V65C,LQ Référence Mouser 757-TW092V65CLQ Nouveau produit	Toshiba	SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	2,493En stock	Bande coupée $10.87 $7.34 $7.01 Bobine $7.01	Min. : 1 Mult. : 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	27 A	136 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	28 nC		+ 175 C	111 W	Enhancement
SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW123V65C,LQ Toshiba 1: $8.63 2,500En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TW123V65C,LQ Référence Mouser 757-TW123V65CLQ Nouveau produit	Toshiba	SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	2,500En stock	Bande coupée $8.63 $5.16 Bobine $5.16	Min. : 1 Mult. : 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	18 A	183 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	21 nC		+ 175 C	76 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm TW030Z120C,S1F Toshiba 1: $17.41 27En stock	Fab. Numéro de référence TW030Z120C,S1F Référence Mouser 757-TW030Z120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	27En stock	$17.41 $13.06	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	60 A	30 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	82 nC		+ 175 C	249 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm TW060Z120C,S1F Toshiba 1: $15.15 31En stock	Fab. Numéro de référence TW060Z120C,S1F Référence Mouser 757-TW060Z120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	31En stock	$15.15 $11.45 $10.89	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	60 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	46 nC		+ 175 C	170 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm TW140Z120C,S1F Toshiba 1: $13.26 61En stock	Fab. Numéro de référence TW140Z120C,S1F Référence Mouser 757-TW140Z120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	61En stock	$13.26 $9.07	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	20 A	140 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	24 nC		+ 175 C	107 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm TW045Z120C,S1F Toshiba 1: $16.29 14En stock 302026-12-04 attendu	Fab. Numéro de référence TW045Z120C,S1F Référence Mouser 757-TW045Z120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	14En stock 302026-12-04 attendu	$16.29 $11.98	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	45 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	57 nC		+ 175 C	182 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm TW015N120C,S1F Toshiba 1: $46.61 28En stock	Fab. Numéro de référence TW015N120C,S1F Référence Mouser 757-TW015N120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	28En stock	$46.61 $33.81 $26.18 $25.70 Devis Devis	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	100 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	158 nC	- 55 C	+ 175 C	431 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm TW015N65C,S1F Toshiba 1: $24.80 41En stock	Fab. Numéro de référence TW015N65C,S1F Référence Mouser 757-TW015N65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	41En stock	$24.80 $20.69 $14.27	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	100 A	21 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	128 nC	- 55 C	+ 175 C	342 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm TW015Z120C,S1F Toshiba 1: $28.61 12En stock 602026-10-19 attendu	Fab. Numéro de référence TW015Z120C,S1F Référence Mouser 757-TW015Z120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	12En stock 602026-10-19 attendu	$28.61 $24.52	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	15 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	158 nC		+ 175 C	431 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm TW027N65C,S1F Toshiba 1: $14.88 2En stock	Fab. Numéro de référence TW027N65C,S1F Référence Mouser 757-TW027N65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	2En stock	$14.88 $11.65 $10.20	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	58 A	37 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	65 nC	- 55 C	+ 175 C	156 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm TW030N120C,S1F Toshiba 1: $18.20 67En stock	Fab. Numéro de référence TW030N120C,S1F Référence Mouser 757-TW030N120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	67En stock	$18.20 $10.41 $9.65 $9.01	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV		40 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	82 nC	- 55 C	+ 175 C	249 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm TW045N120C,S1F Toshiba 1: $19.56 92En stock	Fab. Numéro de référence TW045N120C,S1F Référence Mouser 757-TW045N120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	92En stock	$19.56 $11.98	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	182 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm TW048Z65C,S1F Toshiba 1: $11.56 32En stock	Fab. Numéro de référence TW048Z65C,S1F Référence Mouser 757-TW048Z65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	32En stock	$11.56 $7.62	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	40 A	48 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	41 nC		+ 175 C	132 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm TW060N120C,S1F Toshiba 1: $15.15 189En stock	Fab. Numéro de référence TW060N120C,S1F Référence Mouser 757-TW060N120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	189En stock	$15.15 $11.89 $10.89	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	170 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm TW083N65C,S1F Toshiba 1: $11.12 15En stock	Fab. Numéro de référence TW083N65C,S1F Référence Mouser 757-TW083N65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	15En stock	$11.12 $6.51 $5.26 $4.82 $4.58	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	145 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	76 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm TW083Z65C,S1F Toshiba 1: $10.51 25En stock	Fab. Numéro de référence TW083Z65C,S1F Référence Mouser 757-TW083Z65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	25En stock	$10.51 $6.71	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	30 A	83 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	28 nC		+ 175 C	111 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm TW107N65C,S1F Toshiba 1: $10.80 19En stock	Fab. Numéro de référence TW107N65C,S1F Référence Mouser 757-TW107N65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	19En stock	$10.80 $5.63 $5.37	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	113 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	111 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm TW107Z65C,S1F Toshiba 1: $8.90 40En stock	Fab. Numéro de référence TW107Z65C,S1F Référence Mouser 757-TW107Z65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	40En stock	$8.90 $6.05 $5.37	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	20 A	107 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	21 nC		+ 175 C	76 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm TW140N120C,S1F Toshiba 1: $13.18 2102027-01-15 attendu	Fab. Numéro de référence TW140N120C,S1F Référence Mouser 757-TW140N120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	2102027-01-15 attendu	$13.18 $7.06 $6.49	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	20 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm TW027Z65C,S1F Toshiba 1: $14.85 Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines	Fab. Numéro de référence TW027Z65C,S1F Référence Mouser 757-TW027Z65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines	$14.85 $10.50 $8.74 $7.79 $7.29	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	58 A	27 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	65 nC		+ 175 C	156 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm TW048N65C,S1F Toshiba 1: $11.58 Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines	Fab. Numéro de référence TW048N65C,S1F Référence Mouser 757-TW048N65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm En savoir plus sur Toshiba 3 gen sic mosfets	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines	$11.58 $8.15 $6.60 $5.86 $5.18	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	40 A	65 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	132 W	Enhancement

MOSFET au carbure de silicium de 3e génération 650 V et 1200 V

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