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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CAD) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Qualification
Conditionnement

onsemi IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
Fiche technique
7,492En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 60
Si TO-247 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C FGH60N60SMD Tube
onsemi IGBTs 600 V 80 A 79 W
Fiche technique
514En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 30

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 115 W - 55 C + 175 C FGAF40N60SMD Tube

onsemi IGBTs 600V 20A FSP IGBT
Fiche technique
1,420En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 40
: 800

Si SC-70-3 SMD/SMT Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 40 A 208 W - 55 C + 150 C FGB20N60S_F085 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi IGBTs 600V 40A Field Stop
Fiche technique
841En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 60

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 80 A 290 W - 55 C + 150 C FGH40N60SFD Tube

onsemi IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
Fiche technique
5,354En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 180

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 349 W - 55 C + 150 C FGH40N60SMD Tube
onsemi IGBTs 600V 40A Field Stop
Fiche technique
807En stock
9002027-02-26 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 60
Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 290 W - 55 C + 150 C FGH40N60UFD Tube

onsemi IGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
Fiche technique
325En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 40

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 349 W - 55 C + 175 C FGH40N60SM_F085 AEC-Q101 Tube